FET模拟

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FET模拟

: 模拟技术中的使用结型FET的简易电压控制放大器电路的功能　在VCA（电压控制放大器）。...但使用FET时，由于一端接地，所以只有R5的电阻值可变。如FET的沟道电阻为R4，该电路的放大倍数A则为：　TD的使用范围可为100欧~数十千欧。假调R5=10K，R3=1K，TD的范围为
评级：0 浏览量：195 收藏量：0 资源大小：70KB 上传时间：2020-11-07

: 利用负电容FET提高模拟电路性能利用负电容FET提高模拟电路性能
评级：0 浏览量：41 收藏量：0 资源大小：3.04MB 上传时间：2021-04-01

: 模拟技术中的ADI公司推出快速FET运算放大器最新推出一款场效应晶体管(FET)运算放大器——ADA4817。这款产品工作频率高达1GHz，设计用于高性能的便携式医疗诊断设备和仪器仪表设备。与竞争器件相比，可提供两倍的带宽，同时噪声降低一半。它已被领先的医疗、...
评级：0 浏览量：149 收藏量：0 资源大小：44KB 上传时间：2020-11-12

: 模拟技术中的新日本无线推出低失调低漂移J-FET输入运放大器新日本无线目前已经可以发放双通道J-FET输入运算放大器NJM2749/2749A的样品。　NJM2749/2749A是通过采用J-FET(Junction Field-Effect Transistor：结型场效应晶体管)作为输入端，实现了低输入偏置电流50pA ...
评级：0 浏览量：117 收藏量：0 资源大小：63KB 上传时间：2020-12-03

: 模拟技术中的飞兆推出两款高集成度FET模块飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出两款高集成度模块产品FDMS9600S和FDMS9620S，能够显著减少电路板空间，同时可在同步降压设计中达到较高的转换效率。FDMS96xx系列中每个模块均在节省空间的单一5mm...
评级：0 浏览量：54 收藏量：0 资源大小：57KB 上传时间：2020-12-06

: 模拟技术中的如何对反向转换器的FET关断电压进行缓冲研究如何对反向转换器的FET关断电压进行缓冲。　图 1显示了反向转换器功率级和一次侧MOSFET电压波形。该转换器将能量存储于一个变压器主绕组电感中并在MOSFET关闭时将其释放到次级绕组。由于变压器的漏极电感会使...
评级：0 浏览量：112 收藏量：0 资源大小：100KB 上传时间：2020-11-06

: DMOS 作模拟开关 DMOS Analog Switch Introduction 用MOS作模拟开关很有诱惑力
评级：0 浏览量：225 收藏量：0 资源大小：357KB 上传时间：2014-06-23

: 模拟技术中的高效率反向控制器与FET驱动器简化电源设计日前，德州仪器 (TI) 宣布面向标准及逻辑层 N 通道 MOSFET 推出一款可用于低电压二次侧同步整流的最新电源管理控制器与驱动器。该 UCC24610 Green Rectifier控制器不但可将电源效率提升达 5%，同时还可降低 5 伏 AC/...
评级：0 浏览量：83 收藏量：0 资源大小：79KB 上传时间：2020-11-03

: 电子-FET知识点总结.pdf 电子-FET知识点总结.pdf,综合电子技术数字,模拟,高频电路
评级：0 浏览量：94 收藏量：0 资源大小：163KB 上传时间：2019-09-05

: 模拟技术中的新日本无线推出低失调低漂移J-FET输入运算放大器新日本无线(NJR)目前已经可以发放双通道J-FET输入运算放大器NJM2749/2749A的样品。NJM2749/2749A是通过采用J-FET(Junction Field-Effect Transistor：结型场效应晶体管)作为输入端，实现了低输入偏置电流50pA typ.，...
评级：0 浏览量：125 收藏量：0 资源大小：44KB 上传时间：2020-12-06

: RFID技术中的扩展射频频谱分析仪可用范围的高阻抗 FET 探头当与1Hz或带宽更窄的 FET 软件结合使用时，现代频谱分析仪就具备了扩展的低频性能，使之成为设计与调试高性能模拟电路不可或缺的工具。不幸的是，主要面向RF应用的频谱分析仪典型输入阻抗为50Ω，当用于许多高阻抗...
评级：0 浏览量：123 收藏量：0 资源大小：117KB 上传时间：2020-12-13

: 学好嵌入式系统电路入门之——二极管/晶体管/FET 本文将带大家复习一下半导体以及使用了半导体的有源元件-二极管、晶体管、FET。
评级：0 浏览量：104 收藏量：0 资源大小：77KB 上传时间：2020-07-19

: 模拟电子技术基础：系统方法,托马斯·L.弗洛伊德（Thomas L.Floyd）2 全书共15章，内容包括：二极管及其应用、BJT、FET、多级放大器、RF放大器、功率放大器、运算放大器、特殊用途放大器、运算放大器的响应、基本运算放大器电路、有源滤波器、振荡器、定时器、稳压器、通信电路、数据...
评级：4 浏览量：0 收藏量：13 资源大小：65MB 上传时间：2016-08-28

: 论文研究-纳米线场效应晶体管模拟 .pdf 纳米线场效应晶体管模拟，许辉，，摘要根据自恰密度函数紧束缚方法和非平衡格林函数理论模拟纳米线碳化硅其器件,根据近似弹道模型结合MATLAB软件计算由背栅结构控制�
评级：0 浏览量：175 收藏量：0 资源大小：329KB 上传时间：2019-08-21

: 扩展射频频谱分析仪可用范围的高阻抗FET探头当与1Hz或带宽更窄的 FET 软件结合使用时，现代频谱分析仪就具备了扩展的低频性能，使之成为设计与调试高性能模拟电路不可或缺的工具。不幸的是，主要面向RF应用的频谱分析仪典型输入阻抗为50Ω，当用于许多高阻抗...
评级：0 浏览量：113 收藏量：0 资源大小：143KB 上传时间：2021-01-19

: 模拟技术中的场效应晶体管介绍场效应晶体管(FET)简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。...
评级：0 浏览量：188 收藏量：0 资源大小：30KB 上传时间：2020-12-10

: 模拟电子技术基础课件模拟电子技术基础知识一至十章的详细课件：半导体的结构、导电机理、PN结的形成过程及其伏安特性，二极管的结构、伏安特性以及温度对二极管特性的影响等；三极管的结构、输入与输出特性以及温度对三极管特性的影响等...
评级：0 浏览量：55 收藏量：0 资源大小：10.66MB 上传时间：2010-04-18

: 模拟技术中的TI推出高精度CMOS放大器日前，德州仪器 (TI) 宣布推出来自其 Burr-Brown 产品线、采用 e-trim技术的高精度、高速 12V CMOS 运算放大器。e-trim是 TI 的一种新型微调技术，能够在制造的最终阶段对失调电压及温度漂移进行校准。...
评级：0 浏览量：102 收藏量：0 资源大小：67KB 上传时间：2020-11-29

: 示波器真的是调试模拟电源工具通过代码进行单步执行不是一个可行的办法，因为这很容易烧掉 FET。然而，数字系统的挑战在于很多信号在芯片内部消失。敬请使用 UCD3138 PFC EVM 用户指南，这里有几个可演示固件控制 PFC 的方框图实例。　首先是...
评级：0 浏览量：54 收藏量：0 资源大小：265KB 上传时间：2021-01-12

: 低压驱动RF MEMS开关设计与模拟近年来射频微电子系统(RF MEMS)器件以其尺寸小、功耗低而受到广泛...然而RF MEMS开关普遍存在驱动电压高、开关时间长的问题,劣于FET场效应管开关和PIN二极管开关。相对于国外已取得的成果,国内的研究尚处于起步阶段。
评级：0 浏览量：127 收藏量：1 资源大小：124KB 上传时间：2020-08-11

: 神经网络方法模拟纳米级FinFET性能神经网络方法模拟纳米级FinFET性能
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：789KB 上传时间：2021-03-08

: FuturICT：FET 旗舰试点项目-研究论文具体而言，FuturICT 将构建一个复杂的模拟、可视化和参与平台，称为 Living Earth Simulator。该平台将为观察站提供动力，以检测和减轻危机，并为参与式平台提供支持，以支持决策者和公民的决策。在 2011 年 5 月...
评级：0 浏览量：58 收藏量：0 资源大小：364KB 上传时间：2021-06-10

: 模拟技术中的飞思卡尔提供0.13微米节点的智能电源模拟技术飞思卡尔半导体近期宣布了其在降低模拟电源芯片的大小和成本，同时提高性能减少...此外，该技术还将FET、电阻器和电容器间的模拟匹配性能提高了一倍，从而改进了模数转换分辨率。该技术能够支持30伏电压，提高了液晶
评级：0 浏览量：51 收藏量：0 资源大小：49KB 上传时间：2020-12-08

: 模拟技术中的一种毫米波宽带倍频器设计目前，半导体器件的非线性电阻或电抗特性是构成倍频器的基础，而容性非线性电抗在实际电路中得到的应用较多，变容二极管、阶跃恢复二极管和FET三端器件都是倍频电路中广泛采用的器件。本文在简要分析非线性倍频理论...
评级：0 浏览量：169 收藏量：1 资源大小：207KB 上传时间：2020-11-06

: 模拟技术中的运算放大器输出相位反转和输入过压保护运算放大器输出电压相位反转　本教程讨论两个与运算放大器相关的话题：输出相位反转和输入过压保护。　超过输入共模电压（CM）范围时，某些运算放大器会发生输出电压相位反转问题。其原因通常是运算放大器的一个...
评级：0 浏览量：195 收藏量：0 资源大小：456KB 上传时间：2020-10-21

: 晶体管电路设计负反馈放大电路的设计，直流稳定电源的设计与制作，差动放大电路的设计，运算放大电路的设计与制作，下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS、开关电源电路等。本书面向实际需要，理论联系实际，通过具体的实验，通俗...
评级：0 浏览量：0 收藏量：1 资源大小：42.08MB 上传时间：2018-06-02

: 元器件应用中的Intersil推出1.5A同步降压集成式FET稳压器ISL 高性能模拟解决方案设计和制造厂商Intersil公司日前宣布推出高功效、1.5A同步降压集成式FET稳压器ISL8009，是数据通信/电信、电池供电系统、医疗器械和多种工业应用的负载点调节的理想选择之一。 ISL8009设计...
评级：0 浏览量：84 收藏量：0 资源大小：58KB 上传时间：2020-11-30

: 模拟技术中的数字电视发射机中功率放大器的设计摘要：用最新的LDMOS FET器件，采用平衡放大电路结构?熏设计数字电视发射机中的功率放大器。工作频段在470MHz～860MHz，整个频带内增益在12dB左右，工作在线性状态，交调抑制小于－35dB。关键词：功率放大器匹配 ...
评级：0 浏览量：124 收藏量：0 资源大小：101KB 上传时间：2020-12-10

: 模拟技术中的PTFA212401E 功率放大方案设计 Infineon 公司的PTFA212401E和PTFA212401F是 240W LDMOS FET,设计用于单/双载波WCDMA功率放大器。典型工作电压30V,工作频率为2140MHz,双载波WCDMA的平均输出功率为47.0dBm,线性增益可达15.8dB,效率为28%.互扰失真为-...
评级：0 浏览量：49 收藏量：0 资源大小：198KB 上传时间：2020-10-22

: 专用芯片技术中的Intersil推出集成式FET同步降压稳压器（ISL95210）全球高性能模拟混合信号半导体设计和制造领导厂商Intersil公司(纳斯达克全球交易代码：ISIL)宣布，今天推出具有优异效率和功率密度的最新10A集成式FET同步降压稳压器---ISL95210。　ISL95210提供元件密度非常高的...
评级：0 浏览量：91 收藏量：0 资源大小：52KB 上传时间：2020-10-21

: 嵌入式系统/ARM技术中的Intersil推1.5A同步降压集成式FET稳压器高性能模拟解决方案设计和制造厂商Intersil公司日前宣布推出高功效、1.5A同步降压集成式FET稳压器ISL8009，是数据通信/电信、电池供电系统、医疗器械和多种工业应用的负载点调节的理想选择之一。 ISL8009设计用于...
评级：0 浏览量：124 收藏量：0 资源大小：59KB 上传时间：2020-12-06

: 模拟技术中的一种含运放电路应用设计与实现引言　集成运算放大器广泛应用于电子电路的设计中，集成运算放大器（Integrated Operational Amplifier）简称集成运放，是由多级直接耦合...基片上可以做出包含有数十个或更多的BJT或FET、电阻和连接导线的电路。　1
评级：0 浏览量：91 收藏量：0 资源大小：309KB 上传时间：2020-10-22

: 电源技术中的Freescale提供0.13微米节点的智能电源模拟技术飞思卡尔半导体近期宣布了其在降低模拟电源芯片的大小和成本，同时提高性能减少功耗方面...此外，该技术还将FET、电阻器和电容器间的模拟匹配性能提高了一倍，从而改进了模数转换分辨率。该技术能够支持30伏电压，提高
评级：0 浏览量：64 收藏量：0 资源大小：50KB 上传时间：2020-11-29

: 模拟技术中的MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用下面是我对MOSFET及...　MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是
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: 模拟技术中的TI推出JFET输入运算放大器产品系列这些运算放大器无需提高高性能音频电路的功耗，便可满足广播工作室设备、模拟与数字混合控制台、音视频接收机等多通道专业音频应用的需求。查看视频，敬请访问：www.ti.com/opa1641-pr。　主要特性与优势　...
评级：0 浏览量：156 收藏量：0 资源大小：64KB 上传时间：2020-11-07

: 面向SWCNT - FET制造的介电泳装配技术 (2011年) 针对单壁碳纳米管(SWCNT)场效应晶体管(FET)制造过程中面临的SWCNT装配问题,采用介电泳技术实现SWCNT在微电极上的有效装配。对SWCNT在非均匀电场中所受到的介电泳力进行了相关理论分析,利用COMSOL多物理场耦合软件...
评级：0 浏览量：33 收藏量：0 资源大小：2.54MB 上传时间：2021-05-09

: 嵌入式系统/ARM技术中的Intersil推出1.5A同步降压集成式FET稳压器ISL8009 高性能模拟解决方案设计和制造厂商Intersil公司日前宣布推出高功效、1.5A同步降压集成式FET稳压器ISL8009，是数据通信/电信、电池供电系统、医疗器械和多种工业应用的负载点调节的理想选择之一。 ISL8009设计...
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: 模拟技术中的用于记录仪接口的可编程放大器电路的功能　记录仪内含有增益放大器时，若选定最大输入电压以后...　为了提高输入电阻，选用FET输入OP放大器进行正相连接，用旋钮开关切换反馈电路的分压电阻。因为放大倍数是分压比的例数。若反馈端的电阻R3为10K，
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: 模拟技术中的具有电流限制的多重转换冗余电源系统引言　高级电信计算架构 (ATCA) 标准提供了一种设计电信设备的模块化方法。该行业标准的采用不但加速了产品设计而且还简化了现场升级。...该控制器全面集成了管理电源浪涌控制、过电流保护以及 FET ORin
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: 模拟技术中的Panasonic电工PhotoM0S M0SFET的控制电路 Panasonic电工PhotoM0S M0SFET的控制电路Panansonic电工的PhotoMOS在输出中采用了光电元件和功率M0SFET，是作为微小模拟信号用而开发出的SSD，以高功能型的HF型为首，正逐步扩展系列9如通用型的GU型、高频型的RF型。...
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: 通信与网络中的低压驱动RF MEMS开关设计与模拟然而RF MEMS开关普遍存在驱动电压高、开关时间长的问题，劣于FET场效应管开关和PIN二极管开关。相对于国外已取得的成果，国内的研究尚处于起步阶段。下文将针对MEMS开关的缺陷做一些改进。　1 RF MEMS开关的一般...
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: 模拟技术中的由推挽电路构成的高输入电阻宽带缓冲放大器　本电路使用了面接型N沟道FET，是一种由完善的推挽电路组成的缓冲放大器，能够缩短上升和下降的时间，及用在要求频带宽、转换速度快、输入阻抗高、输出阻抗低的电路中。　电路工作原理　TT1和TT2为N沟道、P沟道...
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: 模拟技术中的德州仪器推出业界速度最快JFET输入放大器上述放大器将宽带电压反馈放大器与高阻抗 JFET 输入级完美结合，可通过其高频率带宽和低总谐波失真充分满足频率域与FET分析的需求。　OPA653与OPA659的主要特性与优势：　·业界最佳的压摆率与低失真可提高...
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: 模拟技术中的运算放大器选择指南助您获得上佳的噪声性能运算放大器噪声取决于输入级工作电流、器件类型（双极型或FET）和输入电路。本选择指南旨在帮助您确定基本的噪声折衷方案，并选择与您的应用相适合的最佳运算放大器（无论新款还是老款）。电阻器热噪声和运算放大器...
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: 模拟技术中的Hittite发布具有极低相位噪声的宽波段放大器 Hittite Microwave ...与基于FET的同类分布式放大器相比，这两款放大器的相位噪声性能有很大改进。当在输入端加频率为4GHz的-1dBm信号时，HMC606和HMC606LC5的相位噪声分别为-153dBc/Hz@1kHz和-157dBc/Hz@1kH
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: 模拟技术中的高端电流检测:差动放大器vs.电流检测放大器在电机控制、电磁阀控制以及电源管理（如直流-直流转换器与电池监控）等诸多应用中，高精度的高端电流检测都是必需的。在这种应用中，对高端电流而非回路电流进行监控，可以提高...利用从电源级到FET的控制信号可以确定
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