多晶单晶区别

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多晶单晶区别

: 多晶和单晶这样排列的材料具有多晶结构。当晶胞间整洁而有规则的排列时第二个级别的结构发生了（图3.4）。那样排列的材料具有单晶结构。单晶材料比多晶材料具有更一致和更可预测的特性。单晶结构允许在半导体里一致和可预测...
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: 单晶光伏崛起未来有望逆袭多晶多晶光伏借助成本优势，在过去几年中，逐渐发展成为国内光伏应用的主流。但今年以来，对于单晶产业链的投资热情逐渐升温。
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: 多晶硅与单晶硅的区别随着不可再生能源的枯竭和温室效应的渐长，我们应该寻求新的能源以解决能源枯竭的严峻问题，希望大家都能关注地球，保护地球。
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: 基于多晶铸锭工艺的准单晶技术系统性总结准单晶（MonoLike）是基于多晶铸锭的工艺，在长晶时通过部分使用单晶籽晶，获得外观和电性能均类似单晶的多晶硅片。这种通过铸锭的方式形成单晶硅的技术，其功耗只比普通多晶硅多5%，所生产的单晶硅的质量接近直拉...
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: 强塑性循环变形中单晶铜和多晶铜的力学性能 (2010年) 分别用小通道角模具(模具Ⅰ)和大通道角模具(模具Ⅱ)以及 A 路径和 Bc路径对单晶铜和多晶铜进行等通道角挤压(ECAP)实验,对挤压后的组织进行光学显微镜(OM)和扫描电镜(SEM)观察,对挤压后的单晶铜组织进行 XRD分析,...
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: 单晶和多晶钼纳米丝轴向拉伸的模拟对比 (2009年) 利用分子动力学模拟研究多晶纳米丝和单晶钼纳米丝在拉伸形变行为上的差异。结果表明：单晶纳米丝比多晶纳米丝具有更高的弹性模量、屈服应力和断裂应变，且在拉伸过程中伴随更多的结构转变和无序化，导致超塑性的出现...
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: MC法和CA法模拟单晶多晶的代码 MC法模拟单晶，多晶长大的代码，元胞自动模拟机模拟生命游戏机，还有神经网络
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: 单晶硅与多晶硅之争本就不是一场战争近来对于多晶硅与单晶硅之争有升温的趋势。虽然多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面，例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶...但在这些年，多晶光伏借助成本优势，逐渐发展成为了光伏应用的主流。
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: 连铸单晶铜的力学性能及断裂特征 (2005年) 研究了同纯度的连铸单晶铜和连铸多晶铜的力学性能及断裂特征，并分析了二者范性变形特点的异同及原因。结果表明，连铸单晶铜与连铸多晶铜都没有屈服点，连铸单晶铜与连铸多晶铜相比，具有更好的塑性。连铸单晶铜表现...
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: 单晶炉和多晶硅铸锭炉概述.pdf *悬浮区熔法（FZ法）：该方法是将多晶硅棒用卡具卡住上端，下端对准籽晶，高频电流通过线圈与多晶硅棒耦合，产生涡流，使多晶棒部分熔化，接好籽晶，自下而上使硅棒熔化和进行单晶生长。该方法的优点是污染少，经区...
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: 红外激光窗口KCl多晶材料的制备和性能采用热锻工艺,可得到用于红外激光窗口的致密多晶KCl,它基本上不改变原单晶的光学特性,机械强度取决于热锻工艺参数。该材料用作激光窗口,能避免单晶中存在解理。
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: 红外LED用掺硅HB-GaAs单晶纵向载流子浓度分布研究以高纯GaAs多晶为原料, 设定不同的拉晶温度曲线, 采用窄熔区技术进行晶体生长研究, 最终生长出C.C.值分布更均匀、位错密度低(EPD≤10 000 cm-2)的向N型掺硅GaAs单晶。利用辉光放电质谱法(GDMS)和范德堡法霍尔效应...
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: 两温区气相输运温度振荡法合成AgGaS2多晶材料 (2005年) 晶体生长实验表明：新方法合成的AgGaS2多晶材料生长出的单晶外观完整、无裂纹，红外透过率达67%，而普通气相输运法合成的多晶材料生长出的单晶体红外透过率36%。因此，两温区气相输运温度振荡法是合成高质量AgCas2...
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: 超宽禁带半导体β-Ga2O3单晶生长突破2英寸.pdf 为解决这些问题，研究人员采用了合理的热场温度分布，结合生长过程中的氧化气氛和气压调控，有效地抑制了GaO的分解挥发，同时解决了多晶生长、挛晶、镶嵌结构和开裂等缺陷问题。通过这种方法，研究人员成功地制备...
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: VGF法半绝缘GaAs单晶EL2浓度优化研究为了获得高电阻率及迁移率的半绝缘GaAs单晶材料, 采用经高压及水平合成不同工艺制得的GaAs多晶料, 进行垂直梯度凝固(VGF)法半绝缘GaAs单晶生长, 测试和分析相应单晶片的EL2浓度、C浓度及电阻率、迁移率等性能参数, ...
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: 用于Abaqus的 UMAT 脚本，多晶形状记忆合金模型_Fortran_Abaqus 例如NSTATV = 2就是一个SMA单晶 Abaqus 中的材料属性必须设置如下： PROPS(1) : 杨氏模量 PROPS(2) : 潜热参数 PROPS(3) : 参考温度 PROPS(4) : 自容马氏体的耗散参数 PROPS(5) :定向马氏体 PROPS(6) 到 PROPS(5 + ...
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: 硅片制备--多晶硅铸锭炉与单晶炉.ppt 悬浮区熔法的原理是将多晶硅棒用卡具卡住上端，下端对准籽晶，高频电流通过线圈与多晶硅棒耦合，产生涡流，使多晶棒部分熔化，接好籽晶，自下而上使硅棒熔化和进行单晶生长。悬浮区熔法的优点是污染少，经区熔提纯后...
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: 多晶铝和多晶镍的中温滞弹性蠕变(二) (1985年) 用侣单晶从360―440℃作滞弹性蠕变及应力驰豫试验,所测得蠕变激活能为(267520±8360)J/mol,比纯侣体积自扩散激活能大得多。因此,结合文[1],可以认为多晶在较高温度(中沮)下的滞弹性蠕变机制与晶粒间界自扩散机制相似...
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: ZnGeP2多晶合成工艺改进及其X射线衍射分析 (2013年) 两温区气相输运合成ZnGeP2多晶，易发生化学计量比偏离，产生Ge、Zn3P2等杂相，在...结果表明，改进工艺合成的ZnGeP2多晶是高纯单相材料，可用于单晶生长. 采用改进工艺合成的ZnGeP2多晶为原料，生长出完整性好的ZnGeP
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: LiCaAlF6单晶的非真空坩埚下降法生长 (2010年) 将该多晶料密封在铂坩埚中,添加少量聚四氟乙烯粉末,可避免氟化物熔体的氧化与挥发,从而在非真空条件下实现 LiCaAlF6单晶的坩埚下降法生长. 在单晶生长过程中,炉体温度控制于 910~930℃,固液界面温度梯度为 30℃·cm...
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: 大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出高纯ZGP多晶, 单次合成量达到600 g; 采用超微梯度水平冷凝法(0.5~1 ℃/cm)成功生长出55 mm×30 mm×160 mm的大尺寸ZGP单晶; 通过工艺优化、定向、切割、退火、抛光和高能束流...
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: 单晶Ni纳米线阵列的制备与磁性能 (2007年) 采用恒电流沉积方法,在多孔阳极...结果表明,单晶镍纳米线阵列的易磁化方向为纳米线轴向,并且与多晶纳米线相比显示出了更高的矫顽力.直径为30nm的纳米线具有较高的矫顽力(8.236×104A/m)和较高的剩磁比(Mr=0.94Ms).
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: 碲化铅单晶及薄膜物理特性的研究 (2005年) 作者用布里奇曼法以高纯的Te(99 .9%)和经过5次提纯的Pb合成了5种组分的PbTe单晶,并对它们的物理特性进行了研究。此外,以所制备的晶体为原料用真空蒸镀法制备了5种组分的PbTe多晶薄膜,薄膜呈铜黄色,并对它们的显微...
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: 多晶Ca1+x B6陶瓷制备及其弱磁性能分析 (2006年) 分别采用常规烧结技术和热压烧结技术，根据固相氧化还原反应原理在不同温度制度下制备了多晶Ca1+...样品的铁磁性能分析表明，所制备多晶Ca1+xB6陶瓷在室温下均呈铁磁态，这种现象与报道的CaB6单晶铁磁性行为存在差异。
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: 新型红外非线性光学晶体SrCdGeSe4生长与性质表征本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出SrCdGeSe4多晶, 单次合成量达到300 g; 采用坩埚下降法首次生长出SrCdGeSe4单晶, 尺寸为27 mm×80 mm; 通过定向、切割和抛光等程序, 得到几个不同尺寸的定向SrCdGeSe4晶片, ...
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