Sb2Te3

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Sb2Te3

: 拓扑绝缘体Sb2Te3和Bi2Te2Se薄膜电子结构的第一性原理研究 (2015年) 为理解拓扑绝缘体纳米薄膜的电子性质，采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法系统研究拓扑绝缘体Sb2Te3和Bi2Te2Se密排面(0115)薄膜由1层增加到5层的电子结构。通过计算发现对于Sb2Te密排面(0115)薄膜，随着薄膜...
评级：0 浏览量：128 收藏量：0 资源大小：341KB 上传时间：2021-05-30

: 溶剂热法合成Sb2Te3纳米粉体 (2008年) 采用溶剂热法在DMF（N，N-二甲基甲酰胺）中合成出Sb2Te3，研究反应温度、反应时间对Sb2Te3粉体合成的影响，采用X射线衍射，扫描电镜和透射电镜对Sb2Te3粉体进行了表征，分析了Sb2Te3晶体的生长机理。结果表明：Sb2Te...
评级：0 浏览量：74 收藏量：0 资源大小：1.49MB 上传时间：2021-05-09

: Land/groove optical recording with GeTe/Sb2Te3 superlattice-like structure The recording layer consisting of alternating thin layers of two different phase-change materials, GeTe and Sb2Te3, were grown by magnetron sputtering on polycarbonate substrates. Land/groove optical...
评级：0 浏览量：52 收藏量：0 资源大小：557KB 上传时间：2021-02-11

: Control synthesis and Thermoelectric Characterization of Sb2Te3 One-Dimensional Nanostructures Using... 以Te纳米棒为模板的一维纳米结构Sb2Te3的制备与热电性能研究，赵浩婷，朱航天，本文中以Te纳米棒为模板采用两步法合成了Sb2Te3纳米棒。通过调整反应过程制备出大量无杂质的多晶Sb2Te3纳米棒；通过调控反应条件，以T
评级：0 浏览量：64 收藏量：0 资源大小：582KB 上传时间：2019-12-26

: Vanadium doped Sb2Te3 material with modified crystallization mechanism for phase-change memory ... Vanadium doped Sb2Te3 material with modified crystallization mechanism for phase-change memory application
评级：0 浏览量：51 收藏量：0 资源大小：1.51MB 上传时间：2021-02-21

: Sb2Te3纳米棒阵列中的输运性质和晶格变化行为随温度的变化 Sb2Te3纳米棒阵列中的输运性质和晶格变化行为随温度的变化
评级：0 浏览量：28 收藏量：0 资源大小：713KB 上传时间：2021-05-11

: CR掺杂Sb2Te3薄膜化学机械抛光中的浆料和Craft.io参数优化 CR掺杂Sb2Te3薄膜化学机械抛光中的浆料和Craft.io参数优化
评级：0 浏览量：54 收藏量：0 资源大小：603KB 上传时间：2021-03-13

: Effects of annealing on thermoelectric properties of Sb2Te3 thin films prepared by radio frequency ... Effects of annealing on thermoelectric properties of Sb2Te3 thin films prepared by radio frequency magnetron sputtering
评级：0 浏览量：58 收藏量：0 资源大小：757KB 上传时间：2021-02-10

: 基于Sb2Te3饱和吸收剂的掺fiber光纤激光器中暗孤子的产生基于Sb2Te3饱和吸收剂的掺fiber光纤激光器中暗孤子的产生
评级：0 浏览量：33 收藏量：1 资源大小：1.12MB 上传时间：2021-04-05

: 纳秒和皮秒单脉冲激光辐照沉积的非晶态Ge2Sb2Te5薄膜的不同结晶过程使用原位反射率测量研究了纳米和皮秒单激光脉冲辐照诱导沉积的非晶态Ge2Sb2Te5薄膜的结晶动力学。与纳秒激光脉冲相比，当脉冲通量从结晶到消融阈值逐渐增加时，在皮秒激光脉冲诱导的结晶过程中没有出现典型的重新...
评级：0 浏览量：83 收藏量：0 资源大小：455KB 上传时间：2021-03-10

: 高压下稳态六方Ge2Sb2Te5结构、电子和光学性质的第一性原理研究 (2013年) 采用基于密度泛函理论的广义梯度近似方法研究了稳态六方petrov原子序列结构Ge2Sb2Te5的结构、电子和光学性质.计算所得的平衡态晶格参数与实验数据和先前的理论结果吻合很好.基态的能带结构寿态密度表明了稳态六方...
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：522KB 上传时间：2021-05-16

: Ge2Sb2Te5薄膜中的纳米级多级开关的导电原子力显微镜 Ge2Sb2Te5薄膜中的纳米级多级开关的导电原子力显微镜
评级：0 浏览量：51 收藏量：0 资源大小：1.74MB 上传时间：2021-02-25

: 电子束蒸发沉积Zn掺杂的Ge2Sb2Te5相变存储器的阈值电压提高电子束蒸发沉积Zn掺杂的Ge2Sb2Te5相变存储器的阈值电压提高
评级：0 浏览量：62 收藏量：0 资源大小：837KB 上传时间：2021-03-12

: Ge2Sb2Te5薄膜相变的内耗 (2010年) 采用脉冲激光沉积法在Si衬底制备了Ge2Sb2Te5合金薄膜，利用双端夹持音频簧振动技术在kHz范围内研究其由相变所引起的内耗谱，并通过电阻率测量加以验证。结果表明：在Ge2Sb2Te5薄膜的非晶相到立方相、立方相到六方相...
评级：0 浏览量：45 收藏量：0 资源大小：247KB 上传时间：2021-05-17

: Laser induced crystallization of as-deposited amorphous Ge2Sb2Te5 films Crystallization is induced by pulsed laser irradiation of as-deposited amorphous Ge2Sb2Te5 films. Changes of the irradiated areas have been analyzed with the reflectivity contrast. As laser fluences ...
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：609KB 上传时间：2021-02-13

: Ge2Sb2Te5薄膜相变行为及其对光存储特性影响 (2007年) 采用射频磁控溅射方法,在石英玻璃基片上制备了Ge2Sb2Te5 相变薄膜。 X射线衍射分析表明:室温沉积的薄膜为非晶态;170℃真空退火后,薄膜转变为晶粒尺度约为 17 nm的面心立方结构; 250℃退火导致晶粒尺度约为 40 nm的密...
评级：0 浏览量：46 收藏量：0 资源大小：918KB 上传时间：2021-05-20

: Phase-selective fluorescence of doped Ge2Sb2Te5 phase-change memory thin films High-contrast fluorescence between the amorphous and crystalline states is achieved in nickel- or bismuth-doped Ge2Sb2Te5 phase-change memory thin films. Opposite phase-selective fluorescence effects...
评级：0 浏览量：63 收藏量：0 资源大小：339KB 上传时间：2021-02-23

: 论文研究-Chemical Bond Polarity-driven Memristive Effects in Ge2Sb2Te5 Films.pdf 化学键极性驱动的Ge2Sb2Te5薄膜忆阻效应，孙华军，谢松，本研究制备了基于Ge2Sb2Te5硫系化合物的忆阻器单元，忆阻器单元经过初始化操作后，忆阻功能材料Ge2Sb2Te5处于晶态和非晶态之间的中间状
评级：0 浏览量：104 收藏量：0 资源大小：509KB 上传时间：2019-08-17

: 膜厚对Sb 利用透射电子显微镜研究了可作为超分辨光盘掩膜层Sb2Te3薄膜的晶态结构、表面形貌；利用光谱仪和椭偏仪分析了其光学性质随膜厚的变化。结果表明，沉积态Sb2Te3薄膜呈弱晶状态，在一定厚度范围内，其光学性质随膜厚的...
评级：0 浏览量：86 收藏量：0 资源大小：1.96MB 上传时间：2021-02-09

: PLD生长碲化铋（Bi）的制备与表征我们报告了多支腿碲化铋（Bi2Te3）和碲化锑（Sb2Te3）热电器件的制造和表征。使用脉冲激光沉积（PLD）将这两种材料沉积在SiO2 / Si基板的顶部。 SiO 2层用于在器件和Si晶片之间提供绝缘。铜用作电连接器，并用作...
评级：0 浏览量：111 收藏量：0 资源大小：5.33MB 上传时间：2020-06-03

: 自旋轨道耦合计算探索 Sb2Te3 Bi2Te3 Bi2Se3晶格参数六角 a (Å) 4.25 4.383 4.138 六角 c (Å) 30.35 30.487 28.64 菱形 T (Å) 10.41 10.473 9.841 原子位置 μ (2Bi) 0.400 0.400 0.399 v (2Se2) 0.211 0.212 0.206 0 (Se1) 0 0 0 ...
评级：5 浏览量：1771 收藏量：3 资源大小：2.18MB 上传时间：2016-07-04

: 半导体调温座椅用于电动汽车的可行性分析.pdf 半导体调温座椅的工作原理是利用半导体元件（如Bi2Te3-Sb2Te3或Bi2Te3-Sb2Se3固溶体合金）在通电时产生的温差现象。当电流通过这些半导体材料时，一个端部会吸热，另一个端部则会散热。通过改变电流方向，可以实现...
评级：0 浏览量：49 收藏量：0 资源大小：212KB 上传时间：2021-08-29

: 溅射气压对Ge 实验研究了氩气气压对溅射制备的Ge2Sb2Te5薄膜的光学常数随波长变化的影响,结果表明:随薄膜制备时氩气气压的增加,Ge2Sb2Te5薄膜的折射率n先增大后减小,而消光系数k先减小后增大。二者都随波长的变化而变化,且在长波...
评级：0 浏览量：40 收藏量：0 资源大小：1008KB 上传时间：2021-02-11

: 论文研究 - 热电装置的多物理场数值模拟为此，我们设计，制造和测试了四个基于Bi2Te3和Sb2Te3的器件。为了评估分析的准确性，将实验测量结果与使用COMSOLTM进行的数值模拟进行了比较。发现两组结果完全一致。这证明了我们的实验测量的准确性和模拟的...
评级：0 浏览量：100 收藏量：1 资源大小：769KB 上传时间：2020-05-31

: 强激光能量测量的电校准技术为解决此问题，提出了一种新型的电校准技术，以Bi2Te3-Sb2Te3构成的半导体热电堆作为能量转换器件，进行了以电能量替代激光能量来实现对体吸收型激光能量计的校准技术研究，初步完成了光能量测量和电能校准的理论...
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：3.42MB 上传时间：2021-02-09

: 软控半导体制冷技术在CPU散热器上的应用.pdf 论文提到，N型半导体材料（例如Bi2Te3-Sb2Te3）与P型半导体材料组成的电偶对，当通以直流电时，会在一个节点吸热，另一个节点放热。这一特性使得半导体制冷片可以直接安装在CPU上，吸收CPU产生的热量，然后通过散热...
评级：0 浏览量：45 收藏量：0 资源大小：475KB 上传时间：2021-08-29

: 半导体纳米薄膜热电性能表征技术的研究进展.pdf 近年来，随着纳米科技的发展，低维纳米热电材料因其优异的性能表现，如Bi2Te3-Sb2Te3超晶格薄膜，引起了广泛的关注。文章首先介绍了热电性能表征的两种主要方向：平行膜面和垂直膜面。平行膜面的表征主要涉及材料...
评级：0 浏览量：35 收藏量：0 资源大小：301KB 上传时间：2021-08-29

: 相变超材料完美吸收体的快速相变在这里，我们首次模拟了相变材料（Ge2Sb2Te5）在超材料完美吸收体（MMPA）中的掺入，并表明非晶态Ge2Sb2Te5的温度可以从室温升高到> 900K（Ge2Sb2Te5的熔点））在短短的几纳秒内就具有150 W / m（2）的低光强度，...
评级：0 浏览量：122 收藏量：0 资源大小：1.47MB 上传时间：2021-03-10

: Sb-Se、Ge-Sb-Te系相变光盘记录介质材料热力学性能参数 (2002年) 结果表明，sb-Se系合金的DS℃曲线只有一个放热峰，温度为220℃,Sb2-Se3的晶化激活能为3.03ev，SbSe的晶化激活能为1.565ev，SbSe2的晶化激活能为2.1ev。sb-Se-Te系合金的DS℃曲线有两个放热峰，分别是140℃和200℃...
评级：0 浏览量：47 收藏量：0 资源大小：337KB 上传时间：2021-05-14

: 只读式超分辨光盘的膜层设计和分析利用多层膜反射率的矩阵法计算了掩膜为Ge2Sb2Te5薄膜的超分辨只读式光盘的光学参数与各膜层厚度之间的关系,最后得到了较为理想的膜层厚度匹配.采用磁控溅射法制备了只读式超分辨光盘,测量了光盘的光学性质.
评级：0 浏览量：39 收藏量：0 资源大小：146KB 上传时间：2021-02-11

: 短波长相变光盘记录介质Ge 研究了632.8 nm波长下适用的相变光盘介质Ge2Sb2Te5薄膜的制备方法和静态光存诸记录特性，发现该薄膜可在100 ns条件下实现直接重写，在优化膜层结构后，写擦循环次数高达106，反射率对比度在15％以上。
评级：0 浏览量：36 收藏量：0 资源大小：671KB 上传时间：2021-02-11

: 论文研究-晶态Ge1Sb4Te7的可逆阻变新机理的第一性原理研究 .pdf 晶态Ge1Sb4Te7的可逆阻变新机理的第一性原理研究，张临川，周健，为了改良相变存储器的工作机理，采用第一性原理计算方法进行了理论研究。结果显示，相变存储材料三元硫系化合物Ge1Sb4Te7可通过特定
评级：0 浏览量：103 收藏量：0 资源大小：685KB 上传时间：2019-08-16

: 初始化条件对Ge Ge2Sb2Te5相变光盘的反射率对比度和载噪比受初始化条件影响很大.研究表明,反射率对比度在转速比较低时随功率增加而增大,而转速较高时随功率增加而减小;反射率对比度基本随转速增加而减小,不同波长处的反射率对比度...
评级：0 浏览量：40 收藏量：0 资源大小：146KB 上传时间：2021-02-11

: 在低功率强度下使用相变超材料快速调谐双法诺共振使用光热模型研究Ge2Sb2Te5薄膜的温度随时间变化，以显示通过光加热切换Ge2Sb2Te5的相的潜力。在这种不对称结构中生成可调谐双FR具有明显的优势，因为它具有0.36 ns的快速调谐时间，9.6 mW / mm（2）的低泵浦光...
评级：0 浏览量：52 收藏量：0 资源大小：1.2MB 上传时间：2021-03-10

: In2Se3纳米线的合成及相变机理研究 In2Se3纳米线由于其高电阻率和显著的电阻转变率（1E5），在数据存储应用中表现出优于GeTe和Ge2Sb2Te5纳米线的低能耗优势。该研究通过热气相沉积法成功合成了α-和κ-In2Se3纳米线。热气相沉积是一种常见的纳米材料...
评级：0 浏览量：107 收藏量：0 资源大小：1.66MB 上传时间：2020-01-06

: GeO 系统地研究了传输CO2激光用的新型光纤材料GeO2-Sb2O3-K2O玻璃空芯光纤的光学特性。通过理论计算,得到了该材料nr的波长范围,消光系数Ｋ和损耗系数a,通过工艺和材料的选择,使a理论值达到0.05 dB/m。同时讨论了HE11,TM...
评级：0 浏览量：95 收藏量：0 资源大小：1.08MB 上传时间：2021-03-05

: 使用基于相变材料的平面透镜设计光的相前该设计使用Ge2Sb2Te5（GST）相变材料填充的slit-array，通过调节GST的结晶度，可以实现光的相位调制。这种方法可以实现可调的纳米光学组件，适用于光学电路和成像应用。知识点： 1. 相变材料：相变材料是一种可以...
评级：0 浏览量：73 收藏量：0 资源大小：512KB 上传时间：2021-03-29

: 结合了纳米结构和纳米层的相变存储器中焦耳加热的局部化，以减少复位电流通过将N掺杂到传统的Ge2Sb2Te5相变材料中，可以调节高电阻率。基于有限元方法的分析表明，纳米C PCM中的电流密度可以局部提高到传统和纳米L PCM器件的两倍。这导致在纳米C PCM中进行焦耳加热的局部化，使其在三种...
评级：0 浏览量：53 收藏量：0 资源大小：1.53MB 上传时间：2021-03-17

: 气相输运沉积制备化合物薄膜材料的研究进展近几年来，气相输运沉积逐渐应用于锑基薄膜(Sb2Se3、Sb2S3及Sb2(Se,S) 3)、锡基薄膜(SnS、SnS2)及铋基薄膜(Bi2Se3、Bi2Te3)等材料的制备，有可能成为一种重要的材料制备方法。本文综述了气相输运沉积用于化合物薄膜...
评级：0 浏览量：94 收藏量：0 资源大小：2.26MB 上传时间：2021-01-26

: 包括具有上拉级的行解码器的非易失性存储器装置的制作方法.docx PCM利用相变材料（如Ge2Sb2Te5，GST）在不同相态间的电阻差异来存储信息，通过加热器和选择装置（如晶体管）控制单元的温度，实现数据的写入和读取。在传统的非易失性存储器装置中，存储器阵列由多个存储器单元...
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: Visible-near infrared ultra-broadband polarization-independent metamaterial perfect absorber ... We numerically demonstrate a novel ultra-broadband polarization-independent metamaterial perfect absorber in the visible and near-infrared region involving the phase-change material Ge2Sb2Te5 (GST)....
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: Tunable near-infrared plasmonic perfect absorber based on phase-change materials A tunable plasmonic perfect absorber with a tuning range of ～650 nm is realized by introducing a 20 nm thick phase-change material Ge2Sb2Te5 layer into the metal–dielectric–metal configuration....
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: Deflection angle switching with a metasurface based on phase-change nanorods [Invited] We propose the active metasurface using phase-change material Ge2Sb2Te5 (GST), which has two distinct phases so called amorphous and crystalline phases, for an ultrathin light path switching device....
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: 相变存储器(PCM)单元中储存多个位元的方法 BM苏黎世研究中心的科学家们日前表示，已经发现能够可靠地在相变存储器(PCM)单元中储存多个位元的方法。该小组采用90nm工艺技术，在200k单元阵列中...该mushroom type存储器单元带有掺杂的Ge2Sb2Te5以作为相变材料。
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