论文研究-晶态Ge1Sb4Te7的可逆阻变新机理的第一性原理研究 .pdf

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晶态Ge1Sb4Te7的可逆阻变新机理的第一性原理研究,张临川,周健,为了改良相变存储器的工作机理,采用第一性原理计算方法进行了理论研究。结果显示,相变存储材料三元硫系化合物Ge1Sb4Te7可通过特定

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