AlGaAs

本专辑为您列举一些AlGaAs方面的下载的内容,AlGaAs等资源。把最新最全的AlGaAs推荐给您,让您轻松找到相关应用信息,并提供AlGaAs下载等功能。本站致力于为用户提供更好的下载体验，如未能找到AlGaAs相关内容，可进行网站注册，如有最新AlGaAs相关资源信息会推送给您。

阅读全文

AlGaAs

: matlab仿真VCSEL的渐变DBR与AlGaAs材料不同波长组分折射率计算 matlab仿真VCSEL的渐变DBR，可以手动输入DBR不同层的折射率以及渐变层厚度，实现反射谱计算，对于AlGaAs材料可以通过输入组分以及对应波长即可计算折射率。
评级：0 浏览量：1345 收藏量：8 资源大小：1KB 上传时间：2020-08-04

: 单量子阱GaAs/AlGaAs半导体激光器本文介绍了用分子束外延法制作的梯度折射率分别限制式单量子阱GaAs/AlGaAs半导体激光器。该器件具有较低的阈值电流密度和单模运转特性,连续输出功率可达55 mW。
评级：0 浏览量：104 收藏量：0 资源大小：769KB 上传时间：2021-02-10

: InGaAs/AlGaAs单量子阱激光器低阈值激射研究了用MOCVD方法生长的InGaAs/AlGaAs单量子阱(SQW)激光器阈值、温度依赖特性及光增益谱。在300 Κ下2000 μm腔长的激光器的激射阈值电流密度为200 A/cm2。在250 Κ到400 Κ范围内, 激光器表现出很好的激射阈值...
评级：0 浏览量：86 收藏量：0 资源大小：1.25MB 上传时间：2021-02-08

: 量子阱无序的窗口结构InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器并将这两种技术的结合（称为选择区域量子阱无序技术）应用于脊形波导InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,研制出具有无吸收镜面的窗口结构脊形波导量子阱激光器。该结构３μｍ条宽激光器的最大输出功率为340 mW,和...
评级：0 浏览量：84 收藏量：0 资源大小：959KB 上传时间：2021-02-11

: 电信波长下绝缘子上AlGaAs波导中高度相干超连续谱的产生电信波长下绝缘子上AlGaAs波导中高度相干超连续谱的产生
评级：0 浏览量：73 收藏量：0 资源大小：707KB 上传时间：2021-03-07

: GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测材料的结构厚度获取方法 (2007年) 通过常规的透射光谱测量,提供一种获取 GaAs/AlGaAs多量子阱材料中上电极层、多量子阱区域实际生长厚度的简便、无损伤的方法,这两个厚度参数在器件制备工艺、材料生长参数修正中起关键作用。
评级：0 浏览量：55 收藏量：0 资源大小：695KB 上传时间：2021-06-19

: 势阱势垒宽度对GaAs/AlGaAs对称DBS RTD NDR特性的影响势阱势垒宽度对GaAs/AlGaAs对称DBS RTD NDR特性的影响
评级：0 浏览量：60 收藏量：0 资源大小：2.28MB 上传时间：2021-04-11

: AlGaAs / GaAs高电子迁移率晶体管特异性检测甲胎蛋白 AlGaAs / GaAs高电子迁移率晶体管特异性检测甲胎蛋白
评级：0 浏览量：100 收藏量：0 资源大小：816KB 上传时间：2021-04-08

: 色散工程基于AlGaAs的条形波导中的多倍频程中红外超连续谱产生色散工程基于AlGaAs的条形波导中的多倍频程中红外超连续谱产生
评级：0 浏览量：80 收藏量：0 资源大小：1.03MB 上传时间：2021-03-14

: 梯度带隙AlGaAs / GaAs导线光电阴极的光发射特性梯度带隙AlGaAs / GaAs导线光电阴极的光发射特性
评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：384KB 上传时间：2021-03-02

: AlGaAs/GaAs双异质结激光器退化的研究观察了室温下工作的DH激光器退化现象,发现在短时间内退化的器件,除阈值升高外尚伴随着微分量子效率下降。对热稳定性良好,并对于较长时间（>250小时）阈值上升率(△Jth/Jth千小时)小于3％的器件,高温老化证明它们的...
评级：0 浏览量：67 收藏量：0 资源大小：1.76MB 上传时间：2021-02-06

: 使用AlGaAs / InGaAs高电子迁移率晶体管进行汞（II）铁的特异性检测使用AlGaAs / InGaAs高电子迁移率晶体管进行汞（II）铁的特异性检测
评级：0 浏览量：42 收藏量：0 资源大小：1.34MB 上传时间：2021-04-16

: 生长条件对MOCVD法生长应变InAlGaAs / AlGaAs量子阱质量的影响生长条件对MOCVD法生长应变InAlGaAs / AlGaAs量子阱质量的影响
评级：0 浏览量：45 收藏量：0 资源大小：1.89MB 上传时间：2021-03-15

: 高折射率对比度AlGaAs微环波导中有效二次谐波的离散法数值模拟高折射率对比度AlGaAs微环波导中有效二次谐波的离散法数值模拟
评级：0 浏览量：41 收藏量：0 资源大小：2.07MB 上传时间：2021-03-20

: InGaAs / AlGaAs量子阱中带间激发的Rashba型和Dresselhaus型圆光电流效应引起的自旋光电流谱的温度依赖性 InGaAs / AlGaAs量子阱中带间激发的Rashba型和Dresselhaus型圆光电流效应引起的自旋光电流谱的温度依赖性
评级：0 浏览量：44 收藏量：0 资源大小：722KB 上传时间：2021-05-19

: AlGaAs/GaAs多量子阱激光器本文报道用国产分子束外延设备研制出波长为850nm AlGaAs/GaAs多量子阱激光器。室温阈值电流密度为980A/cm~2、条宽8μm的激光器最低室温阈值电流为28mA,线性输出功率大于15mW,单面量子微分效率约24％,具有良好的温度...
评级：0 浏览量：144 收藏量：0 资源大小：5.15MB 上传时间：2021-02-06

: AlGaAs短波长超辐射集成光源设计了一种新型半导体集成光源AlGaAs短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构,采用直接耦合方式将超辐射发光管与光放大器集成在一起,在脉冲条件下获得了输出功率为57mW的超辐射,谱线宽度...
评级：0 浏览量：38 收藏量：0 资源大小：853KB 上传时间：2021-02-11

: GaAs/AlGaAs光学相控阵的优化分析对多层GaAs/AlGaAs波导光学相控阵进行了仿真和实验的对比分析。借助新型光子设计仿真软件，利用有限元法和2.5维时域有限差分法(FDTD)法，对器件分别进行了电学特性和光学特性模拟研究。在p-i-n器件结构下，波导芯层...
评级：0 浏览量：114 收藏量：1 资源大小：1.65MB 上传时间：2021-02-23

: GaAs/AlGaAs薄膜压阻特性研究 (2010年) 为了探索新的微机电转换方法,提出一种GaAs/AlGaAs压阻薄膜结构。该结构采用分子束外延生长技术(MBE),在半绝缘GaAs衬底(001)方向上生长GaAs/AlGaAs半导体薄膜制备而成。利用表面微机械工艺和体微机械工艺,加工制作了...
评级：0 浏览量：37 收藏量：0 资源大小：1.18MB 上传时间：2021-04-28

: AlGaAs_electrooptic_effect:该存储库旨在保存与SU引力波物理实验室中的AlGaAs的电光效应（普克尔和压电）... ＃AlGaAs_electro-optic_effect此存储库旨在保存与SU引力波物理实验室中的电光效应（包括普克尔效应和压电效应）的测量有关的所有相关注释/工作。浏览该存储库： 3D打印：包含用于此实验的所有3D打印设计（文件...
评级：0 浏览量：62 收藏量：0 资源大小：397.89MB 上传时间：2021-04-20

: 开发和制造第一个全单片GaAs-AlGaAs二维电子气（2DEG）霍尔效应集成电路本实验开发和制造第一个全单片GaAs-AlGaAs二维电子气（2DEG）霍尔效应集成电路。市面上的商用霍尔效应集成电路均基于硅技术。这些集成电路具有成本低、与CMOS工艺兼容等优点，但存在灵敏度低、可检测性差、功耗高、...
评级：0 浏览量：46 收藏量：0 资源大小：5.55MB 上传时间：2022-06-16

: InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角，又能降低腔面光功率密度的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变层量子阱激光器，并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs应变...
评级：0 浏览量：106 收藏量：0 资源大小：1.07MB 上传时间：2021-02-11

: InGaAs/AlGaAs半导体激光器二维阵列用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术外延生长了InGaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成半导体激光器一维线阵列,然后再串联组装成二维阵列,在1000 μs的输入脉宽下,输出峰值功率达到730 W(77 A...
评级：0 浏览量：114 收藏量：0 资源大小：863KB 上传时间：2021-02-11

: 梯度带隙反射模式AlGaAs / GaAs光电阴极的分辨特性利用二维泊松方程和连续性方程，通过数值方法确定了梯度带隙AlGaAs / GaAs反射模式光电阴极的调制传递函数（MTF）。基于MTF模型，我们计算了渐变和均匀带隙反射模式光电阴极的理论MTF。然后，我们分析了Al成分，...
评级：0 浏览量：74 收藏量：0 资源大小：1.36MB 上传时间：2021-03-24

: 准连续17 kW 808 nm GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵报道了17 kW GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵的设计、制作过程和测试结果。为了提高器件的输出功率,一方面采用宽波导量子阱外延结构,降低腔面光功率密度,提高单个激光条的输出功率,通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)...
评级：0 浏览量：53 收藏量：0 资源大小：593KB 上传时间：2021-02-12

: AlGaAs/GaAs/AlGaAs渐变异质结光致发光仿真研究 AlGaAs/GaAs/AlGaAs渐变异质结光致发光仿真研究
评级：0 浏览量：86 收藏量：0 资源大小：555KB 上传时间：2021-03-14

: 异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管结构的设计及分析设计了一种应用于毫米波开关及限幅器的异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管材料结构,接着对影响二极管性能的两个主要因素(Al掺杂量和I层厚度)进行分析和优化,然后采用分子束外延与半导体工艺流片制备出了验证器件。...
评级：0 浏览量：249 收藏量：0 资源大小：3.95MB 上传时间：2021-02-03

: 梯度掺杂和组分透射模式AlGaAs / GaAs光电阴极的分辨特性从二维连续性方程数值求解了梯度掺杂和梯度成分透射模式AlGaAs / GaAs光电阴极的分辨率模型。根据该模型，我们计算了不同梯度掺杂和梯度成分结构的理论调制传递函数（MTF）。仿真结果表明，梯度成分和梯度掺杂结构...
评级：0 浏览量：61 收藏量：0 资源大小：522KB 上传时间：2021-03-24

: 反射各向异性谱在线监测852 nm半导体激光器AlGaInAs/AlGaAs量子阱的MOCVD外延生长研究了生长温度和中断时间对AlGaInAs/AlGaAs量子阱外延质量的影响，并使用金属有机化合物汽相沉积(MOCVD)外延生长了AlGaInAs/AlGaAs量子阱和852 nm半导体激光器。通过使用反射各向异性谱(RAS)和光致发光谱在线监测和...
评级：0 浏览量：73 收藏量：0 资源大小：2.07MB 上传时间：2021-02-09

: GaAs/AlGaAs长波红外探测器贝尔实验室的B. F. Levine等已发展了一种用GaA/AlGaA3制作的)长波红外探测器，在77 K测量时其响应率为30 kV/W探测率D*=1.0×10 10 cm Hz^{1/2}/W。探测器在波长工作带宽超过70 MHz。理论上这种没有电容的渡越时间...
评级：0 浏览量：119 收藏量：0 资源大小：643KB 上传时间：2021-02-08

: 利用转移矩阵法预测MOVPE生长的AlGaAs薄膜的光学归一化瞬态瞬态使用转移矩阵方法（TMM）的AlGaAs多层和分布式布拉格反射器（DBR）。模拟结果与生长样品的测得的NR瞬变很好地相关。 AlxGa1-xAs的偏差成功预测了预期样本和实际样本之间的组成。较小的光学预测了第一DBR层中的...
评级：0 浏览量：86 收藏量：0 资源大小：1.12MB 上传时间：2021-03-23

: 梯形衬底大光腔可见光AlGaAs半导体激光器采用液相外延技术,试制了梯形衬底大光腔(LOC)可见光AlGaAs半导体激光器。其波长为717.2～770.0nm,室温(298K)连续工作阈值电流为300mA,在1.5倍阈值时可实现单纵模、基横模工作。本文给出了器件的一些电学和光学特性.
评级：0 浏览量：51 收藏量：0 资源大小：1.91MB 上传时间：2021-03-04

: AlIn GaAs和AlGaAs激光器热特性的对比实验研究 (2006年) 本文采用波长都是808 nm，有源层分别是AlInGaAs和AlGaAs不同材料的两种激光器，针对其热特性做了对比实验．结果发现AlInGaAs应变量子阱激光器在斜率效率、阈值电流、特征温度等方面随温度变化的特性都优于AlGaAs激光...
评级：0 浏览量：50 收藏量：0 资源大小：142KB 上传时间：2021-05-11

: Stacking-faults-free zinc blende GaAs/AlGaAs axial heterostructure nanowires during vapor-liquid-... Pure zinc blende structure GaAs/AlGaAs axial heterostructure nanowires (NWs) are grown by metal organic chemical vapor deposition on GaAs(111) B substrates using Au-catalyzed vapor-liquid-solid ...
评级：0 浏览量：89 收藏量：0 资源大小：1.96MB 上传时间：2021-02-25

: 自由电子激光对GaAs/AlGaAs异质结构材料电学性质的影响自由电子激光(FEL)辐照样品前和辐照样品时,使用变温霍尔测量系统测试了这种n型调制掺杂GaAs/AlGaAs异质结构材料中准二维电子气(2DEG)的迁移率、电子浓度和电阻率.对比这两种情况下的结果可以发现:1) 迁移率随温度...
评级：0 浏览量：55 收藏量：0 资源大小：538KB 上传时间：2021-02-11

: 基于GaAs/AlGaAs光波导扫描技术的研究分析了光学相控阵的工作原理, 提出了可编程的馈电方案 , 给出了10层P-I-N型 GaAs/AlGaAs相控阵列的实验结果,通过实验证实光学相控阵是一种新颖的、高分辨率的、快速宽角度的扫描技术。
评级：0 浏览量：59 收藏量：0 资源大小：1.08MB 上传时间：2021-02-12

: 考虑自热效应的重掺杂AlGaAs/GaAs HBT电流特性分析 (2004年) 对于因重掺杂NPN突变AlGaAs/GaAs HBT，而引起BGN导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生改变结果，以致对电流输出特性产生重要的影响。本文基于Jain-Roulston禁带收缩模型及热场发射--扩散载流子输运机制，对考虑...
评级：0 浏览量：100 收藏量：0 资源大小：284KB 上传时间：2021-05-09

: AlGaAs/GaAs HBT的设计与研制 (2005年) 分析了AlGaAs/GaAs HBT的原理和材料结构,详细介绍了AlGaAs/GaAs HBT的器件结构及工艺流程,并对两方面进行了优化,研制出了特性较好的AIGaAs/GaAs HBT,其电流放大系数达到180,是目前国内报道的最高水平；开启电压小于...
评级：0 浏览量：82 收藏量：0 资源大小：105KB 上传时间：2021-05-23

: AlGaAs / InGaAs PHEMT的栅极电流退化模型 AlGaAs / InGaAs PHEMT的栅极电流退化模型
评级：0 浏览量：58 收藏量：0 资源大小：554KB 上传时间：2021-05-07

: 偏压和温度对超长波长GaAs / AlGaAs量子阱红外光电探测器子间吸收的影响使用光谱测量和相应的理论计算研究了非常长的波长GaAs / AlGaAs量子阱红外光电探测器（QWIP）的与温度和偏置有关的光电流谱。发现峰值响应波长将随着偏置和温度变化而移动。在能带结构计算的帮助下，我们提出了双...
评级：0 浏览量：102 收藏量：0 资源大小：2.34MB 上传时间：2021-02-25

: 粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷 (2000年) 作者对AlGaAs/GaAs结构调制掺杂材料及多量子阱材料，分别使用电子束或质子束辐照。电子束辐照能量为0.4～1.8MeV，辐照注量为1×1013cm-2～1×1016cm-2，质子束辐照能量为20～130keV，辐照注量为1×1011cm-2～1x1014...
评级：0 浏览量：81 收藏量：0 资源大小：278KB 上传时间：2021-04-24

: 基于GaAs-AlGaAs非对称耦合量子阱材料的半导体弱光开关提出了一种基于在GaAs-AlGaAs非对称耦合量子阱材料子带跃迁的量子干涉的半导体弱光开关.分析了弛豫速率γ21对光开关的影响.这种半导体弱光开关是半导体超晶格材料共振隧穿作用导致的子带跃迁的Fano干涉的结果.由于...
评级：0 浏览量：47 收藏量：0 资源大小：163KB 上传时间：2021-02-11

: Electronic structure of GaAs/AlGaAs quantum double rings in lateral electric field A three-dimensional model of GaAs/AlGaAs quantum double rings in the lateral static electric field is investigated theoretically. The eigenvalue problem with the effective-mass approximation is solved...
评级：0 浏览量：44 收藏量：0 资源大小：1MB 上传时间：2021-02-10

: AlInGaAs/AlGaAs/GaAs strained quantum well lasers with high characteristic temperature The AlInGaAs/AlGaAs/GaAs strained quantum well laser is designed and the whole structure of the device is given. Its highest operation temperature is 100 Celsius degrees and the characteristic ...
评级：0 浏览量：49 收藏量：0 资源大小：121KB 上传时间：2021-02-10

: 通过赛尔效应观察GaAs / AlGaAs纳米线自发和受激发射的增强我们通过实验证明了通过赛塞尔效应增强了GaAs / AlGaAs纳米线的自发和受激发射。通过将NW和SiO2-Au基板集成在一起，将NW中的介电模与Au表面的表面等离激元进行杂交，形成了混合等离激元模。利用混合等离子体激元...
评级：0 浏览量：49 收藏量：0 资源大小：2.18MB 上传时间：2021-03-25

: Tunable terahertz wave difference frequency generation in a graphene/AlGaAs surface plasmon ... By combining a graphene SPW and nonlinear material, we propose a novel graphene/AlGaAs SPW structure for terahertz wave difference frequency generation (DFG) under near-infrared pumps. The composite ...
评级：0 浏览量：53 收藏量：0 资源大小：998KB 上传时间：2021-02-04

: 810-nm InGaAlAs/AlGaAs double quantum well semiconductor lasers with asymmetric waveguide structures The 810-nm InGaAlAs/AlGaAs double quantum well (QW) semiconductor lasers with asymmetric waveguide structures, grown by molecular beam epitaxy, show high quantum efficiency and high-power conversion ...
评级：0 浏览量：43 收藏量：0 资源大小：349KB 上传时间：2021-02-13

: 快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响研究了快速热退火(RTA) 对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响。结果表明，当退火温度为800 ℃时，材料晶体质量和光致发光(PL)强度得到显著提升；当退火温度为900 ℃时，材料晶体质量和PL强度降低。依据峰值...
评级：0 浏览量：94 收藏量：0 资源大小：6.25MB 上传时间：2021-01-27

: 腔面非注入区技术在808 nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵中的应用在808 nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵的前后腔面两端约25 μm长的区域进行氦离子注入，使p型GaAs获得高的电阻率，形成腔面电流非注入区，以此来提高腔面灾变性损伤(COD)阈值。常规条宽100 μm，含有19个发光单元的1 ...
评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：1.05MB 上传时间：2021-02-25

: 高功率梯度折射率分别限制异质结构InGaAs/AlGaAs应变双量子阱激光器采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)方法成功地研制了具有两对梯度折射率(GRIN)异质结结构的InGaAs/AlGaAs应变双量子阱激光器。该激光器的波长为970～982nm,室温连续工作阈值电流密度为140A/cm2,工作在0.9A时单面连续...
评级：0 浏览量：81 收藏量：0 资源大小：896KB 上传时间：2021-02-11

资源推荐

相关资源标签

MATLAB VCSEL AlGaAs 传输矩阵 materials quantum rapid PIN二极管 diode 分子束外 multiple molecular single negative optical 金属有机 lasers GaAs 有限元法半导体光窗口结构半导体激 window graded separate double laser high qual powe fundament coupled Fano 激光技术 metal arra 自由电子异质结构辐照效应 electric stack 光学相控电光效应 voltage 转换效率光电子学 optoelect finite 研究论文 large band-gap; Built-in field; Resolution; Modulation transfer function JupyterNotebook 自然科学论文工程技术 effect; temperatures; effects; Spin Temperature dependence; range 霍尔集成电路霍尔传感器