高功率梯度折射率分别限制异质结构InGaAs/AlGaAs应变双量子阱激光器

采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)方法成功地研制了具有两对梯度折射率(GRIN)异质结结构的InGaAs/AlGaAs应变双量子阱激光器。该激光器的波长为970～982nm,室温连续工作阈值电流密度为140A/cm2,工作在0.9A时单面连续输出光功率为520mW,工作在2.0A时,连续输出光功率为1.49W,最高功率可达2.4W。微分量子效率高达0.83W/A。