SI问题分析

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SI问题分析

: PCB设计中关于SI问题分析 本文主要介绍的是PCB设计中关于SI问题分析。
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: 高速高密度PCB的SI问题 随着数字电子产品向高速高密度发展，SI问题逐渐成为...从高速高密度PCB设计的角度，在介绍SI问题的产生的基础上，着重分析了反射、串扰和SSN的机理、特性及对SI的影响。分析结论对高速高密度PCB设计实践具有参考作用。
评级：0 浏览量：47 收藏量：0 资源大小：650KB 上传时间：2021-04-18

: SI信号完整性分析术语主要的信号完整性问题包括反射、振荡、地弹、串扰等。常见信号完整性问题及解决方法：　问题可能原因解决方法其他解决方法　过大的上冲终端阻抗不匹配终端端接使用上升时间缓慢的驱动源　直流电压电平...
评级：0 浏览量：388 收藏量：2 资源大小：99KB 上传时间：2021-01-19

: Cadence Allegro PCB SI进行SI仿真分析利用Cadence Allegro PCB SI进行SI仿真分析,包含了本教程的所有实例的源文件
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: Si 本文提出一种新型的费涅尔波导透镜.它不仅具有衍射受限的聚焦特性,而且有与理想费涅尔波导透镜几乎一样的效率,并使工艺简化.在氮化硅波导上进行的工艺实验表明,实验结果与理论分析具有较好的一致性.
评级：0 浏览量：25 收藏量：0 资源大小：4.3MB 上传时间：2021-02-09

: 分析si软件 ts流dvb分析si软件有两个exe可以分享
评级：0 浏览量：62 收藏量：0 资源大小：8.15MB 上传时间：2015-05-29

: 1.55 μm Si 对1.55 μm波长的Si1-xGex光波导开关和Si1-xGex/Si红外探测器的集成结构进行了系统的理论分析和优化设计。设计结果为：(1)对Si1-xGex光开关, Ge含量x=0.05, 波导的内脊高、脊宽和腐蚀深度分别为3, 8.5和2.6 μm, ...
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: PCB SI应用的详细介绍目前用户最需要是一个时序分析和SI结合一体工具，而且界面要优化，设置要简单，同时需要包括Design KIT。时序问题是关键问题，目前设计者基本上采用核心芯片厂家现成方案，因此设计中主要一部分工作是如何保证PCB...
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: SOC设计SI分析优化方法研究系统介绍了SOC设计SI的概念、分类及产生基理，根据电路工程设计经验，重点阐述了在SOC设计SI的设计、优化、分析方法，介绍了利用EDA设计工具在芯片设计过程中对SI进行阻止、优化、分析的流程及方法，并对各种设计...
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: 李玉山信号完整性 SI 分析信号完整性问题是物理互连在高速情况下的直接结果 ">信号完整性 SI 可以泛指由互连线引起的所有信号电压电平和电流不正常现象包括：噪声干扰和时序等狭义的信号完整性是指信号电压电流波形的形状及质量 ...
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: 利用Cadence Allegro PCB SI进行SI仿真分析.rar 利用Cadence Allegro PCB SI进行SI仿真分析
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: 高速数字设计和信号完整性分析-高速数字设计和SI分析导论高速数字设计和信号完整性分析-高速数字设计和SI分析导论基本概念研究领域研究手段研究目的在产品开发中的应用工程设计规范理想的数字信号波形数字信号的畸变
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: Allegro SI分析串扰.pdf 高速电路板在进行信号完整性分析的时候，和反射一起的串扰噪声的影响也必须考虑。本文将介绍串扰噪声的理论基础及如何使用Allegro PCB SI对串扰进行分析：
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: NSIA-开源 NSIA（网络系统完整性分析）是一种 Web 应用程序监控系统，可扫描 Web 应用程序中是否存在潜在有害上下文，例如篡改、未经授权的更改、错误、信息泄漏、亵渎、合规问题等
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: tsr.rar_TS流分析 _mpeg2 psi si_psi/si分析_ts流解析 Mpeg-2 TS流分析的工具，可以输出PSI/SI信息为html格式，方便TS流的解析开发调试。
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: 可见光波段Si 为提高手机显示屏的耐摩擦、防划伤能力,...根据增透膜的设计理论、合理的膜层分组方式和逆向反演分析法完成膜系设计,降低了薄膜反射率。测试结果表明,在可见光波段范围内,薄膜的平均反射率为0.58%,硬度达到15.99 GPa。
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: 数字电视PSI_SI剖析及其应用介绍PSI/SI主要组成表PAT、PMT、CAT、N IT、SDT、E IT、BAT的语法结构和功能。
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: PSI/SI解析详细分析了PAT、PMT各标志位说明及源代码解析PAT、PMT详细流程
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: SI4948BEY-T1-E3-VB一款2个P沟道SOP8封装MOSFET应用分析 2个P沟道,-60V,-5.3A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1~-3Vth(V)；SOP8
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: SI4532ADY-T1-E3-VB一款N+P沟道SOP8封装MOSFET应用分析 N+P沟道,±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；±1.65Vth(V)；SOP8
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: 软X射线Mo/Si多层膜反射率拟合分析由于描述单个非理想粗糙界面散射的Stearns法适用于软X射线短波段区域,采用它的数学模型来描述软X射线多层膜的粗糙度,利用最小二乘法曲线拟合法对同步辐射测得的Mo/Si多层膜的反射率曲线进行拟合,得到了非常好的拟合...
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