CMOS技术

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CMOS技术

: CMOS技术制造单光子计数器 CMOS技术是一种广泛应用于集成电路制造的重要技术，具有功耗低、集成度高、成本低、可靠性好等优点。近年来，随着技术的不断发展，CMOS技术已经被应用到单光子计数器的制造中。单光子计数器是一种能够检测到单个...
评级：0 浏览量：81 收藏量：0 资源大小：488KB 上传时间：2021-02-10

: 利用CMOS技术实现pH-ISFET 摘要：在对离子敏场效应晶体管（ISFET）基本结构及电学特性分析的基础上，提出了一种基于CMOS技术实现ISFET与信号处理电路集成化的设计方法。模拟仿真的结果表明，所采用的ISFET/MOSFET“互补对”结构的信号读取电路...
评级：0 浏览量：137 收藏量：0 资源大小：105KB 上传时间：2020-12-08

: 用CMOS技术实现高速模数转换器【CMOS技术实现高速模数转换器】随着通信技术的发展，高速模数转换器(ADC)在接收器中的作用越来越重要。特别是在信号处理领域，实时取样和精确测试已成为必要，这依赖于超高速ADC的性能。美国国家半导体推出的ADC...
评级：0 浏览量：127 收藏量：0 资源大小：94KB 上传时间：2020-07-28

: CMOS技术的性能分析-研究论文名为“ CMOS技术的性能评估”的项目旨在为学生提供有关如何在VLSI和ULSI技术领域投入时间的指南，并启发他们了解最常用的IC CMOS技术的缩放比例的各种参数。世界上的技术。该报告还研究了MOSFET的定标范围及其极限...
评级：0 浏览量：81 收藏量：0 资源大小：943KB 上传时间：2021-05-20

: CCD与CMOS技术，我们居然还有这么多不知道然而，尽管CMOS技术的发展似乎预示着CCD的消亡，CCD和CMOS技术仍然在发展之中。CCD的基础架构和优势使其在某些高成像性能要求的应用中保持不可替代的位置，尤其是在医疗和科学成像领域，CCD的高均匀性和低暗电流特性...
评级：0 浏览量：84 收藏量：1 资源大小：88KB 上传时间：2020-07-20

: 基于CMOS技术的集成光电智能探测器基于CMOS技术的集成光电智能探测器是一种新型的硅光电探测器，其核心特点在于利用CMOS兼容工艺将光电二极管阵列与放大、处理电路及输出电路集成在一个芯片上。这种集成方式不仅提高了系统的可靠性，显著减小了体积，...
评级：0 浏览量：90 收藏量：0 资源大小：265KB 上传时间：2021-02-03

: CMOS技术概述(cmos的详细介绍) ### CMOS技术概述 #### 一、CMOS技术的基本概念 **CMOS**，全称为Complementary Metal-Oxide Semiconductor，即互补金属氧化物半导体，是一种广泛应用在集成电路制造中的技术。它通过结合带N级（负电荷）和P级（正...
评级：0 浏览量：1976 收藏量：0 资源大小：9.5MB 上传时间：2010-06-27

: CMOS技术中的闩锁效应——问题及其解决方法 CMOS技术中的闩锁效应——问题及其解决方法
评级：0 浏览量：2290 收藏量：0 资源大小：3.52MB 上传时间：2018-09-01

: OKI生产世界首款采用SOI-CMOS技术的UV传感器 2007年11月28日，冲电气工业（OKI）宣布，将于本月开始，批量供应能感知紫外线(UV)的传感器IC“ML8511”。...冲电气的UV传感器IC“ML8511”就是这样一款世界首创采用SOI-CMOS技术，实现了UV受光元件与模拟
评级：0 浏览量：152 收藏量：0 资源大小：66KB 上传时间：2021-01-19

: 以CMOS技术实现的微型化毫米波传感器大多数商用雷达系统，特别是驾驶员辅助系统 (ADAS) 中的雷达系统，均基于锗硅(SiGe)技术。目前的高端车辆都有一个多芯片SiGe雷达系统。虽然基于SiGe技术的77GHz汽车雷达系统满足自适应巡航控制时的高速度要求，但...
评级：0 浏览量：76 收藏量：0 资源大小：84KB 上传时间：2021-01-19

: CMOS技术在硅光电倍增传感器中的应用 CMOS技术是一种广泛应用于集成电路设计中的制造技术，其核心优势在于可以集成多种电路功能于单一芯片上。硅光电倍增传感器（SiPM，Silicon Photomultiplier）是一种能够在低光子通量条件下工作的探测器，它能够探测...
评级：0 浏览量：66 收藏量：0 资源大小：995KB 上传时间：2021-03-09

: 传感技术中的OKI生产世界首款采用SOI-CMOS技术的UV传感器 2007年11月28日，冲电气工业（OKI）宣布，将于本月开始，批量供应能感知紫外线(UV)的传感器IC“ML8511”。...冲电气的UV传感器IC“ML8511”就是这样一款世界首创采用SOI-CMOS技术，实现了UV受光元件与模拟
评级：0 浏览量：157 收藏量：0 资源大小：68KB 上传时间：2020-11-30

: 增强型ESD功率钳位，用于采用SOI CMOS技术的天线开关控制器利用SOI CMOS技术制造的基于电荷泵的天线开关控制器，能够产生负电压以偏置天线开关的栅极和体，从而提高天线开关的性能，并且随着天线开关核心一同集成。然而，在先进的SOI CMOS技术中，静电放电（ESD）保护已经...
评级：0 浏览量：58 收藏量：0 资源大小：292KB 上传时间：2021-03-23

: 新型电容-频率转换器，用于CMOS技术中的片上电容测量和校准 ### 新型电容-频率转换器在CMOS技术中的应用 #### 概述本文介绍了一种基于电荷的电容测量（CBCM）技术的新型电容-频率转换器，该技术主要用于CMOS技术中的片上电容测量与校准。与传统的电容测量电路相比，这种新...
评级：0 浏览量：42 收藏量：0 资源大小：428KB 上传时间：2021-04-06

: 采用Standard0.18m CMOS技术的60GHz片上天线本文介绍了一种利用标准0.18微米CMOS技术制造的60GHz平面片上天线。随着无线通信需求的快速增长，出现了许多无线通信标准，其中60GHz技术因其高速率短距离传输的潜力受到了广泛关注。60GHz技术具有约7GHz的带宽，...
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：382KB 上传时间：2021-03-17

: 采用40 nm CMOS技术的260 GHz低相位噪声VCO 本文介绍了一款采用40 nm CMOS技术的260 GHz低相位噪声压控振荡器（Voltage-Controlled Oscillator，VCO）。在深入探讨之前，我们需要了解一些基础知识点。首先，VCO是一种重要的频率源，广泛应用于通信系统中。它...
评级：0 浏览量：105 收藏量：0 资源大小：855KB 上传时间：2021-04-16

: 90nm CMOS技术的恒定延迟逻辑研究述评-研究论文本文介绍了有关恒定延迟（CD）逻辑的审查工作。引入了动态（互补金属氧化物半导体）CMOS电路样式，该样式可以减少... 使用90nm CMOS技术，分析了基于CD Logic的不同电路的功率，延迟，（功率延迟乘积）PDP和噪声计算。
评级：0 浏览量：104 收藏量：0 资源大小：1.05MB 上传时间：2021-05-19

: 采用65nm CMOS技术的低功耗的39GHz-80GHz毫米波倍频器随着集成电路工艺的进步，CMOS技术在毫米波频段的应用越来越广泛，但同时也面临一些挑战。例如，随着工艺尺寸的减小，漏电流和其他寄生效应会变得更加显著，这会影响电路的性能和稳定性。因此，在65纳米CMOS工艺下...
评级：0 浏览量：124 收藏量：0 资源大小：112KB 上传时间：2021-03-17

: 基于65 nm体硅CMOS技术的DICE-DFF和TMR-DFF SEU辐射硬化方法分析.docx 随着技术的进步，集成电路的制造工艺已经进入超深亚微米时代，例如65纳米体硅CMOS技术。这种技术虽然带来了更高的集成度和更快的运算速度，但也加剧了单粒子效应（Single Event Effect, SEE）的问题，特别是单粒子...
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：418KB 上传时间：2022-12-15

: 模拟cmos技术--低功耗论文标题《模拟CMOS技术--低功耗论文》涉及到的IT知识点主要包括CMOS集成电路设计中的低功耗技术及其发展趋势。随着微电子技术的快速发展，CMOS集成电路已经进入了纳米尺度，其功耗问题逐渐成为集成电路设计与制备中一个...
评级：0 浏览量：211 收藏量：0 资源大小：3.05MB 上传时间：2018-06-22

: CMOS技术的130 GHz片上电介质谐振器天线阵列为此，东南大学毫米波国家重点实验室以及中国工程物理研究院太赫兹研究中心的研究人员联合提出了一种采用标准CMOS技术的130 GHz片上电介质谐振器天线（DRA）阵列的设计方案。这篇研究论文详细介绍了该天线阵列的结构...
评级：0 浏览量：52 收藏量：0 资源大小：317KB 上传时间：2021-02-26

: CMOS集成电路EDA技术_14161445.pdf 电子设计自动化（EDA）工具主要是指以计算机为工作平台，融合应用电子技术、计算机技术、智能化技术新成果而研制成的电子辅助软件包。该软件包可以使设计者在虚拟的计算机环境中进行早期的设计验证，有效缩短电路...
评级：4 浏览量：1739 收藏量：4 资源大小：22.34MB 上传时间：2019-09-22

: 采用180 nm CMOS技术的非相干IR-UWB接收器前端的设计本文详细介绍了基于非相干通信的脉冲无线电超宽带（IR-UWB）接收器前端的设计，采用的是180纳米CMOS技术。该设计主要集中在无线通信集成电路（IC）的研究上，特别是针对生物医学应用的无线通信IC，它们需要满足小型...
评级：0 浏览量：61 收藏量：0 资源大小：458KB 上传时间：2021-04-13

: 采用0.18微米CMOS技术的集成片上可植入天线，用于生物医学应用标题中提到的“集成片上可植入天线”及“采用0.18微米CMOS技术”和“生物医学应用”是三个关键的知识点。从这些词汇出发，我们可以深入探讨与之相关的技术细节和应用背景。首先，“集成片上可植入天线”意味着这是...
评级：0 浏览量：103 收藏量：0 资源大小：1.44MB 上传时间：2021-03-06

: 质子辐射对65nm CMOS技术中重离子诱导的单事件瞬态的影响 CMOS技术是集成电路设计中的主流技术，广泛应用于现代电子设备中，包括航空航天领域的电子系统。随着集成电路尺寸的不断缩小，器件对辐射的敏感性也随之增加，特别是在宇宙辐射环境中，辐射粒子可以对电子设备造成...
评级：0 浏览量：35 收藏量：1 资源大小：1.44MB 上传时间：2021-04-10

: 65 nm Twin-Well和Triple-Well CMOS技术中虚拟门隔离逻辑节点之间的单事件瞬态脉冲猝灭特性本文主要探讨了在65纳米Twin-Well和Triple-Well CMOS技术中，虚拟门隔离逻辑节点之间的单事件瞬态脉冲猝灭特性。随着芯片技术的不断缩小，单个高能离子撞击经常会影响多个相邻的逻辑节点。这种现象被称为脉冲猝灭...
评级：0 浏览量：107 收藏量：0 资源大小：1.57MB 上传时间：2021-04-11

: 脉冲淬火对65nm双阱和三阱CMOS技术中单事件瞬态的影响的表征在先前的研究中，已经对65nm工艺下采用假栅隔离逻辑节点的SET脉冲淬火现象进行了表征，证实了脉冲淬火特性在65nm双阱和三阱CMOS技术中的影响。在研究论文中，对脉冲淬火对65nm双阱和三阱CMOS技术中单事件瞬态的...
评级：0 浏览量：74 收藏量：0 资源大小：1020KB 上传时间：2021-03-07

: 基于130 nm商业CMOS技术制造的片上线性稳压器的单事件瞬变效应研究在考虑单事件瞬变效应（Single-event transient, SET）方面，本研究聚焦于使用130纳米商业CMOS技术制造的片上线性稳压器。SET效应是模拟集成电路可靠性面临的一个主要问题，特别是在航空航天领域。在这一领域，辐射...
评级：0 浏览量：41 收藏量：0 资源大小：817KB 上传时间：2021-03-24

: 用于纳米级CMOS技术的可自我恢复，具有频率意识且具有成本效益的稳健锁存器设计本文介绍了一种新型的稳健锁存器设计，这种锁存器适用于纳米级CMOS技术，主要特点包括自我恢复能力、频率感知以及成本效益。由于技术的不断进步，纳米级CMOS技术逐渐成为集成电路设计的主流。然而，随着晶体管特征...
评级：0 浏览量：33 收藏量：0 资源大小：1.97MB 上传时间：2021-04-26

: 大体积CMOS技术中重离子诱导的单事件多次瞬变（SEMT）的角度依赖性由于提供的文件信息不包含足够的技术细节来生成关于“大体积CMOS技术中重离子诱导的单事件多次瞬变（SEMT）的角度依赖性”的知识点，文件内容主要为一封电子邮件通知，介绍了一篇研究论文摘要被接受在RADECS 2016...
评级：0 浏览量：33 收藏量：0 资源大小：1.66MB 上传时间：2021-03-14

: CMOS开关特性同时，为了在高频下维持低功耗，还有多种先进的CMOS技术，如多阈值电压技术、低泄漏电流技术等，它们旨在平衡速度和功耗之间的矛盾。总的来说，理解CMOS开关特性对于设计高效能、低功耗的集成电路至关重要。通过...
评级：0 浏览量：389 收藏量：0 资源大小：23KB 上传时间：2020-12-09

: 具有65nm CMOS技术的40dB可变增益的低功耗1.5GHz Gm-C滤波器标题和描述中提到的关键知识点是“具有65nm CMOS技术的40dB可变增益的低功耗1.5GHz Gm-C滤波器”。这个知识点主要包含了以下几个方面的深入讨论： 1. CMOS技术：65nm CMOS技术是一种集成电路制造工艺，65nm指的是...
评级：0 浏览量：94 收藏量：1 资源大小：409KB 上传时间：2021-02-25

: 65 nm双阱和三阱CMOS技术对重离子诱导的单事件多次瞬变（SEMT）的角度依赖性文章标题“65 nm双阱和三阱CMOS技术对重离子诱导的单事件多次瞬变（SEMT）的角度依赖性”和描述中提到，研究重点在于65纳米制程技术中，双阱和三阱CMOS技术在面对重离子辐射时，产生的单事件多次瞬变现象（Single-...
评级：0 浏览量：38 收藏量：0 资源大小：2.48MB 上传时间：2021-04-12

: CMOS相机校正技术 CMOS相机校正技术 CMOS相机校正技术是指对CMOS图像传感器中的坏点、噪点、非均匀性、白平衡等问题进行检测和校正的方法。这种技术对于提高图像质量、改善图像处理结果非常重要。坏点检测是CMOS相机校正技术的关键...
评级：0 浏览量：300 收藏量：0 资源大小：721KB 上传时间：2014-09-24

: CMOS 混频器的设计技术.rar CMOS技术因其成本低、集成度高、功耗小等优点，已经成为混频器设计的首选平台。以下是对CMOS混频器设计技术的详细说明： 1. **混频器的工作原理**：混频器的主要功能是通过非线性器件实现不同频率信号之间的相互...
评级：5 浏览量：162 收藏量：1 资源大小：240KB 上传时间：2021-03-15

: CMOS图像传感器封装与测试技术.pdf ### CMOS图像传感器封装与测试技术 #### 一、CMOS图像传感器概述 CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）图像传感器是一种广泛应用于数码相机、智能手机、监控摄像头等设备中的光电转换器件，其主要功能...
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: "二进制接口：多值逻辑转换器在TSMC CMOS技术下的高效实现
评级：0 浏览量：33 收藏量：0 资源大小：0B 上传时间：2024-01-28

: cmos.zip_cmos摄像此外，CMOS的制造成本相对较低，这使得采用CMOS技术的摄像头更具有价格竞争力。同时，随着技术的进步，CMOS传感器在图像质量上已经可以与CCD相媲美，甚至在某些指标上超越了CCD。 5. **应用场景**： CMOS摄像技术...
评级：0 浏览量：39 收藏量：0 资源大小：3KB 上传时间：2022-09-23

: CCD和CMOS主要技术分析 CCD（Charge Coupled Device）和CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）是两种主流的成像传感器技术，广泛应用于摄像机、相机、监控系统等领域。它们的制造工艺和性能特点决定了各自的应用场景。 CCD...
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: 低成本CMOS图像传感器对医学技术的推动作用 CMOS技术允许在传感器芯片上集成逻辑电路，实现了图像采集、处理和传输的一体化。这种高集成度的优势在小型内窥镜设计中尤为突出，减少了对外部元件的需求，降低了制造成本，同时也使得设备更加便携，适合进行微创...
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: 嵌入式系统中CMOS图像传感器接口技术虽然CCD具有低噪声、大动态范围和高灵敏度，但由于工艺上的限制，CCD难以与CMOS技术集成，导致其体积较大、功耗较高。而CMOS图像传感器则可以将像素阵列与外围电路集成在同一芯片上，这使得CMOS传感器具有体积小巧、...
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: CMOS射频集成电路技术 CMOS射频集成电路技术这一优势在大规模集成电路（SoC）和片上系统（NoC）中尤为关键，因为CMOS技术不仅能够降低制造成本，还能够通过系统级的集成实现更紧凑的电路设计。此外，随着CMOS技术的不断进步，它已经开始主导5GHz以下的应用，...
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: CMOS与CCD图像传感器技术性能对比 CMOS（互补金属氧化物半导体）和CCD（电荷耦合器件）是两种主要的图像传感器技术，广泛应用于各种视觉设备，如数码相机、监控摄像头以及医疗和科研领域。这两种传感器各有优缺点，选择哪种通常取决于应用需求。 ...
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: 采用28nm CMOS技术的169.6 GHz混合模式切换推挽振荡器，具有21.7％的调谐范围和180.6dBc / Hz的FoMT 标题所提到的知识点为"采用28nm CMOS技术的169.6 GHz混合模式切换推挽振荡器，具有21.7％的调谐范围和180.6dBc / Hz的FoMT"，而描述中的内容是对这个知识点的进一步说明。从标题和描述中，我们可以提取以下关键知识...
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: 电源技术中的CMOS功率放大器技术虽然CMOS技术一直用于GSM手机功率放大器，但GaAs或类似技术迄今为止都是必不可少的。　“GaAs技术与CMOS技术之间的主要区别在于器件的击穿电压，”Acco的Denis Masliah解释道。“在饱和放大器中，对于极高效率的...
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: CHAP02 CMOS技术、CMOS器件模型 CHAP02 CMOS技术、CMOS器件模型
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: CMOS工艺技术最新cmos CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺技术是现代微电子制造中的核心部分，它被广泛应用于集成电路，尤其是微处理器和各种数字逻辑电路的制造。CMOS的优势在于它能高效地利用电源，降低功耗，并提供高密度的集成度。下面...
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