多面栅 MOSFET、纵向多面栅 MOSFET、等电位近似、体反型、侧壁刻蚀及后处 理、迁移率、沟道非均匀掺杂

多面栅 MOSFET 作为一种新型的半导体器件与传统 MOSFET 相比具有许多的优势：接 近理想的亚阈值特性、较高的载流子迁移率、较高的跨导和电流驱动能力、较强的抑制器件 短沟道效应的能力等。因此，多面栅 MOSFET 被认为是 MOS 器件的特征尺寸缩小到深亚 微米量级时最具有发展前途的一种新型器件。