TI 3交错图腾柱无桥PFC资料,高频管使用碳化硅,有数字控制环路介绍
本参考设计聚焦于TI的6.6千瓦无桥图腾柱功率因数校正(PFC)解决方案,特别适用于混合电动汽车(HEV)/电动汽车(EV)的车载充电器。该设计采用了碳化硅(SiC)MOSFET,并由C2000微控制器(MCU)驱动,以实现高效率和高功率密度。无桥PFC技术减少了损耗,提高了整体系统性能。 在电路结构中,三个相位的交错工作确保了连续导通模式(CCM),在240伏输入电压下达到98.60%的高效率。C2000控制器通过实现相位卸载和自适应死区时间控制,优化了轻负载条件下的功率因数。这种智能控制策略有助于在各种负载条件下保持高效运行。 门驱动板(TIDA-01605)采用增强隔离设计,具有超过100V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI),确保了系统的稳定性。此外,它还包括二级关断电路,以防止在短路情况下MOSFET出现电压过冲,增强了器件保护。 关键组件包括: 1. **C28004x C2000TM MCU**:作为核心控制器,执行数字控制算法,管理整个系统的运行。 2. **UCC21520-Q1**:隔离式门驱动器,用于驱动SiC MOSFET,提供强化隔离并保护系统免受高瞬态电压的影响。 3. **UCC28700-Q1**:可能是一个电源管理IC,负责监控和调节电源轨电压。 4. **TLV71333-Q1**:可能是一个低压差线性稳压器,为系统提供稳定的工作电压。 5. **SN6501-Q1**:隔离器,用于在高压和低压部分之间提供电气隔离。 6. **ISO7721-Q1**:可能是数字隔离器,用于在不同电压域之间安全地传递信号。 7. **TIDA-01605**:门驱动板,包含了上述的隔离和保护功能。 8. **TMS320F280049**:C2000系列的微控制器,用于实现数字控制环路,包括相位控制和死区时间调整。 该设计还利用了SiC技术的优势,如更高的开关频率、更低的开关损耗和更高的热效率,从而提高了整个PFC转换器的能效和功率密度。通过采用这些先进技术,该参考设计为HEV/EV车载充电器提供了高效的解决方案,同时也为其他高功率应用提供了有价值的参考。 为了进一步了解和应用此设计,可以访问TI Designs的TIDA-01604设计文件夹,以及相关产品的详细资料,例如UCC21520-Q1、TMS320F280049等。同时,C2000WARE-DIGITALPOWER-SDK工具文件夹提供了软件开发套件,帮助用户进行定制化开发。在遇到问题时,TI的E2E专家支持服务可以提供在线的技术咨询和解答。
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