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SM8951_SM8952 内嵌4K_8K FLASH 存储器的8 位微控制器
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SM8951_SM8952 内嵌4K_8K FLASH 存储器的8 位微控制器.pdf
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SyncMOS
SyncMOS Technologies Inc. Preliminary SM8951/8952
March 2001
内嵌
4K/8K FLASH
存储器的
8
位微控制器
本说明书如有修改 恕不另行通知 请洽您的销售代理商以获取最新版本信息
- 1/17 - Preliminary Ver 0.1 PID 8951/8952 05/01
产品清单
SM8951C25,主频 25MHz,内带 4KB 闪存的 MCU
SM8952C25,主频 25MHz,内带 8KB 闪存的 MCU
总体描述
SM8951/8952 系列产品是内嵌 4/8K 字节闪存的
8 位单片微控制器
它具有多达 32 个 I/O 口 其 4K/8K
的闪存既可作程序存储空间
也可以作数据存储空
间
或程序 数据混合空间 这些硬件特征和其强
大的指令系统
使它能应用于不同的场合 因此是
一种通用的和性能价格比高的控制器
片上闪存可以使用商用编程器进行编程
订货信息
SM8951/8952ihhk 空片
i
工艺标志{L,C}
hh
工作时钟 单位为 MHz{25}
k
封装形式后缀{如下表所示}
后缀 封装 管脚排列图 尺寸
P 40 脚 PDIP page2 page12
J 44 脚 PLCC page2 Page14
Q 44 脚 QFP page2 Page13
特性
█ 工作电压
4.5V 到 5.5V
█ 编程电压
12V
█ 与通用 80C51/80C52 家族完全兼容
█ 每个机器周期为 12 个时钟周期
█ 4K/8K 字节片上闪存
█ 128/256 字节片上数据 RAM
█ 2/3 个 16 位定时/计数器
█ 具有4个8位I/O口
█ 全双工串口通道
█ 位操作指令
█ 页自由跳转
█ 8 位无符号除运算
█ 8 位无符合乘运算
█ BCD 码运算
█ 直接地址访问
█ 间接地址访问
█ 嵌套中断
█ 两个中断优先级
█ 1 个串行 I/O 口
█ 省电模式
空闲模式和掉电模式
█ 工作时钟为 25MHz
█ 代码保护功能
█ 1 个看门狗定时器(WDT)
█ 低 EMI(禁止 ALE)
SyncMOS
SyncMOS Technologies Inc. Preliminary SM8951/8952
March 2001
内嵌
4K/8K FLASH
存储器的
8
位微控制器
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- 2/17 - Preliminary Ver 0.1 PID 8951/8952 05/01
管脚分配图
SyncMOS
SyncMOS Technologies Inc. Preliminary SM8951/8952
March 2001
内嵌
4K/8K FLASH
存储器的
8
位微控制器
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- 3/17 - Preliminary Ver 0.1 PID 8951/8952 05/01
系统框图
SyncMOS
SyncMOS Technologies Inc. Preliminary SM8951/8952
March 2001
内嵌
4K/8K FLASH
存储器的
8
位微控制器
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- 4/17 - Preliminary Ver 0.1 PID 8951/8952 05/01
管脚描述
40L
PDIP
引脚号
44L
QFP
引脚号
44L
PLCC
引脚号
管脚定义
正常
状态
I/O
1 40 2 T2/P1.0 I/O P1 口位 0 定时器 2
2 41 3 T2EX/P1.1 I/O P1 口位 1 定时器控制位
3 42 4 P1.2 I/O P1 口位 2
4 43 5 P1.3 I/O P1 口位 3
5 44 6 P1.4 I/O P1 口位 4
6 1 7 P1.5 I/O P1 口位 5
7 2 8 P1.6 I/O P1 口位 6
8 3 9 P1.7 I/O P1 口位 7
9 4 10 RES H I 复位
10 5 11 RXD/P3.0 I/O P3 口的位 0,接收数据端
11 7 13 TXD/P3.1 I/O P3 口的位 1,发送数据端
12 8 14 #INT0/P3.2 L/- I/O P3 口的位 2,中断 0 低电平触发端
13 8 15 #INT1/P3.3 L/- I/O P3 口的位 3,中断 1 低电平触发端
14 9 16 T0/P3.4 I/O P3 口的位 4,定时器 0
15 10 17 T1/P3.5 I/O P3 口的位 5,定时器 1
16 11 18 #WR/P3.6 L/- I/O P3 口的位 6,外部存储器写
17 13 19 #RD/P3.7 L/- I/O P3 口的位 7,外部存储器读
18 14 20 XTAL2 O 晶振输出
19 15 21 XTAL1 I 晶振输入
20 16 22 VSS 供电电源地
21 18 24 P2.0/A8 I/O P2 口的位 0,外部存储器地址的位 8
22 19 25 P2.1/A9 I/O P2 口的位 1,外部存储器地址的位 9
23 20 26 P2.2/A10 I/O P2 口的位 2,外部存储器地址的位 10
24 21 27 P2.3/A11 I/O P2 口的位 3,外部存储器地址的位 11
25 22 28 P2.4/A12 I/O P2 口的位 4,外部存储器地址的位 12
26 23 29 P2.5/A13 I/O P2 口的位 5,外部存储器地址的位 13
27 24 30 P2.6/A14 I/O P2 口的位 6,外部存储器地址的位 14
28 25 31 P2.7/A15 L I/O P2 口的位 7,外部存储器地址的位 15
29 26 32 #PSEN - O/I 外部程序存储器使能
30 27 33 ALE L O/I 地址锁存使能
31 29 35 #EA/Vpp I 外部访问 Vpp
32 30 36 P0.7/AD7 I/O P0 口的位 7, 数据或外部存储器的位 7
33 31 37 P0.6/AD6 I/O P0 口的位 6, 数据或外部存储器的位 6
34 32 38 P0.5/AD5 I/O P0 口的位 5, 数据或外部存储器的位 5
35 33 39 P0.4/AD4 I/O P0 口的位 4, 数据或外部存储器的位 4
36 34 40 P0.3/AD3 I/O P0 口的位 3, 数据或外部存储器的位 3
37 35 41 P0.2/AD2 I/O P0 口的位 2, 数据或外部存储器的位 2
38 36 42 P0.1/AD1 I/O P0 口的位 1, 数据或外部存储器的位 1
39 37 43 P0.0/AD0 I/O P0 口的位 0, 数据或外部存储器的位 0
40 38 44 VDD 驱动电压,+5V
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