Flash Memory，尤其是NAND闪存，是现代存储技术中的关键组成部分。随着价格的下降，它逐渐成为硬盘的替代选择，特别是在低容量应用（4GB或更少）中，NAND闪存显示出了其优势。由于对低功耗、轻便且耐用产品的持续追求，NAND闪存变得越来越有吸引力。
NAND闪存阵列被组织成一系列128-kbyte的块，这是NAND设备中最小的可擦除单元。擦除一个块会将所有位设置为“1”（所有字节变为FFh）。编程是必要的，以将已擦除的位从1变为0。最小的可编程单位是一个字节。相比之下，某些NOR闪存可以执行读写操作，而NAND则不能同时读写，但可以通过系统级别的阴影技术实现类似功能，就像在PC上加载BIOS到更快的RAM中一样。
NAND的效率部分归因于NAND串行中缺乏金属接触。NAND闪存单元的尺寸小于NOR，为4F2，而NOR为10F2，因为NOR每个单元都需要单独的金属接触。这种结构使得NAND的芯片面积更小，因此能够提供当今低成本消费市场所需的更大容量。
NAND闪存的工作方式类似于硬盘驱动器，基于扇区（页）并适合存储顺序数据，如图片、音频或PC数据。尽管可以通过在RAM中阴影数据来实现随机访问，但这需要额外的RAM存储空间。同样，NAND设备也有坏块，需要错误校验码（ECC）来保证数据完整性。
NAND闪存在几乎所有的可移动记忆卡中都有应用。其复用接口为所有最近的设备和密度提供了类似的引脚布局，这使得设计上的兼容性和升级变得更加简单。此外，NAND闪存的高集成度使其在移动设备、嵌入式系统和固态硬盘（SSD）中广泛使用。
在实际应用中，开发者需要了解如何有效地管理NAND闪存的坏块，以及如何使用ECC算法来纠正潜在的数据错误。此外，为了优化性能，需要设计适当的FAT（文件分配表）管理系统，以及处理读写操作的策略，比如在写入新数据前先擦除相应的块。
NAND闪存的另一个重要方面是它的耐久性。由于每个单元有一定的擦写次数限制，因此在设计时需要考虑耐久性管理，通过分布写入和磨损均衡技术来延长存储设备的使用寿命。了解NAND闪存的不同速度等级和I/O接口（如SPI、Parallel、eMMC或UFS）也至关重要，这些因素会影响设备的整体性能和功耗。
NAND闪存以其高效、高容量和低功耗特性，已经成为现代电子设备中不可或缺的存储解决方案。理解其工作原理和操作机制对于开发和维护涉及NAND闪存的系统至关重要。
