♦DRAM 介绍 DRAM 即 Dynamic RAM，动态随机存取存储器的意思，DRAM 的种类有很多，常用的有：
1).SDRAM：Synchronous Dynamic Random Access Memory，即同步动态随机存取存储器。“同步”
是指其时钟频率与 CPU 前端总线的系统时钟频率相同，并且内部命令的发送与数据的传输都以此频
率为基准；“动态”是指存储阵列需要不断的刷新来保证所存储数据不丢失；“随机”是指数据不
是线性一次存储，而是自由指定地址进行数据的读写。
2).DDR SDRAM：Double Data Rate SDRAM，即双倍速率 SDRAM，普通 SDRAM 只在时钟信号的
上升沿采样数据，而 DDR SDRAM 在时钟信号的上升沿和下降沿都采样数据，这样，在时钟频率不变
的情况下，DDR SDRAM 的数据存取速度提高了一倍，所以叫双倍速率 SDRAM。
DDR SDRAM 最早由三星公司于 1996 年提出，之后与日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、
TI、现代等 8 家公司协议制定规格，并得到 AMD、VIA、SIS 等公司的支持，并最终于 2005 年形成
JEDEC 标准 ESD79E。(JEDEC 即 Joint Electron Device Engineering Council，电子器件工程联合
理事会)
DDR SDRAM 在其短暂的发展史中，先后经历了 DDR SDRAM(也叫 DDR1 SDRAM)、DDR2 SDRAM、DDR3
SDRAM 三个阶段，技术越来越先进。上面是 DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM 三种内存芯片的
参数对比表：
3).RDRAM：Rambus DRAM，是美国的 RAMBUS 公司开发的一种内存。与 DDR 和 SDRAM 不同，
它采用了串行的数据传输模式。RDRAM 的数据存储位宽是 16 位，远低于 DDR 和 SDRAM 的 64 位。但
在频率方面则远远高于前者，可以达到 400MHz 乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次次
数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到 1.6Gbyte/s。普通的 DRAM
行缓冲器的信息在写回存储器后便不再保留，而 RDRAM 则具有继续保持这一信息的特性，于是在进
行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。另外其可把数
据集中起来以分组的形式传送，所以只要最初用 24 个时钟，以后便可每 1 时钟读出 1 个字节。一
次访问所能读出的数据长度可以达到 256 字节。下图为 SDRAM 与 RDRAM 系统结构对比。
DRAM 的存储单元结构与 SRAM 的锁存器存储结构不同，DRAM 是利用电容来存储数据信息的，
电容中有电荷代表逻辑“1”，没有电荷代表逻辑“0”，如下图所示。DRAM 进行读/写操作时，行
选信号与列选信号将使存储电容与外界的传输电路导通，从而可进行放电(读取)或充电(写入)。目
前的主流设计中，刷新放大器功能已经被并入读出放大器(Sense Amplifier，简称 S-AMP)中。
