在电子半导体领域，众多的专业术语构成了这一复杂领域的基石。以下是一些关键名词的详细解释：
1. **主动区 (Active Area)**: 在半导体制造中，主动区是指晶体管被制造的区域，它决定了晶体管的实际工作区域。在MOS工艺中，主动区是由氮化硅掩模后进行局部场氧化形成的。但由于鸟嘴效应（Bird's Beak），实际的主动区会比设计的氮化硅掩模区域稍小，这是因为在场区氧化过程中边缘会出现扩展。
2. **丙酮 (ACTONE)**: 丙酮是一种常见的有机溶剂，用于清洁和擦拭半导体制造过程中的正性光阻。丙酮具有刺激性气味，长时间接触可能对健康有害，例如导致皮肤炎症和呼吸道问题。在晶圆厂中，其允许的浓度为1000ppm。
3. **显影后检查 (ADI)**: ADI代表After Developing Inspection，是半导体制造中一个重要的检查步骤，用于检查黄光室工艺后的光阻覆盖、对准和曝光效果。通常通过目检和显微镜进行，以确保产品质量和良率。
4. **蚀刻后检查 (AEI)**: AEI是After Etching Inspection的缩写，发生在蚀刻后对产品的全面或抽样检查，目的是提高产品良率，保持品质一致性，并及时发现和处理制程中的问题，防止不良品的产生。
5. **空气洗尘室 (AIR SHOWER)**: 进入洁净室前，操作人员需要穿过空气洗尘室，通过高速空气流去除身上的灰尘，以保持洁净室的高清洁度标准。
6. **对准 (ALIGNMENT)**: 对准是半导体制造中的关键步骤，通过芯片上的对准键和光罩的配合，确保图案精确地转移到晶片上，通常包括人眼对准和机械式对准两种方法。
7. **熔合 (Alloy/Sinter)**: 熔合过程是为了在铝和硅基体之间形成欧姆接触，即电流与电压呈线性关系，降低接触电阻，提高器件性能。
8. **铝/硅 (AL/SI)**: 在金属溅镀过程中，铝/硅靶是一种常用的材料，用于形成组件与外部导线的连接。溅镀时，Ar离子撞击靶材，释放出铝和硅的原子，沉积在芯片表面。
9. **铝/硅/铜 (AL/SI/CU)**: 这种金属靶材含有0.5%的铜，1%的硅和98.5%的铝，用于改善金属电荷迁移现象，提高器件的可靠性。
10. **铝 (ALUMINUM)**: 铝是半导体制造中常用的金属材料，用于通过溅镀形成组件与外部导线的连接。
11. **角度研磨 (ANGLE LAPPING)**: 角度研磨是测量结深的一种方法，通过光线干涉测量。随着VLSI技术的发展，这种方法的精度已无法满足要求，现在更多采用扩散电阻探针（SRP）等更精确的技术。
12. **埃 (ANGSTRON)**: 埃是一个极小的长度单位，常用于描述IC制造中的薄膜厚度，如二氧化硅、多晶硅和氮化硅等。
以上术语是半导体制造中不可或缺的基本概念，理解这些概念对于深入理解和参与半导体行业至关重要。
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