介电屏蔽边界条件用于静电场建模 comsol仿真文件

介电屏蔽边界条件用于静电场建模，可以近似模拟具有较高相对介电常数（与周围介质相比）的薄层材料。本例将介电屏蔽边界条件与高保真模型进行比较，并讨论此边界条件的适用范围。