读周期、写周期、存取周期
DRAM 存储器
基本存储元:由一个 MOS 晶体管和电容器组
成的记忆电路。
存储原理:所存储的信息 1 或 0 由电容器上的
电荷量来体现(充满电荷:1;没有电荷:0)。
一个 DRAM 存储元的写、读、刷新操作
DRAM 的刷新:集中式刷新和分散式刷新
(P73)
存储器容量的扩充
位扩展——增加存储字长
字扩展——增加存储字的数量
字、位扩展
例题
只读存储器 ROM
掩 模 ROM 、 可 编 程 ROM ( PROM 、
EPROM——光 擦 除 可 编 程 可 读 存 储 器 、
EEPROM——电擦除可编程存储器)、Flash 存储
器
并行存储器
双端口存储器:指同一个存储器具有两组相互
独立的读写控制线路。
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