吉林大学电子科学与工程学院
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半导体材料
半导体材料
晶体中缺陷的种类
¾ 点缺陷:偏离理想点阵结构的部位仅为一个原子或几个
原子的范围内,所有方向上尺度都很小:空位、间隙原
子、杂质原子及空位对和聚集体等
¾ 线缺陷:偏离理想点阵结构的部位为一条线,在其它两
个方向上尺寸比较小:位错
¾ 面缺陷:偏离理想点阵结构的部位为二维尺寸比较大的
面:晶界、孪生晶界、堆垛层错、相界和晶体表面或界
面等
¾ 体缺陷:在晶体中的三维尺寸都比较大:孔洞、夹杂物、
沉淀物或第二相团等
¾ 微缺陷:若干点缺陷在晶体中的聚集形成的缺陷,尺寸
比点缺陷大比体缺陷小:在无位错单晶中广泛存在的一
类缺陷,其几何尺寸多为微米或亚微米量级。