· A
0
、 A
1
—— 地址中 n=2 ,有 2
n
=4 个地址单元。
每个地址单元中存放 m ( m=4 )位二进制数。
存贮容量为 2
n
×m=4×4=16 位。
· 输出缓冲器:常由三态门或 OC 门组成。
· W
0
-W
3
—— 字线; Y
0
-Y
3
—— 位线。
这里:交叉点表示一个存贮单元,无二极管表示存“ 0” ,
有二极管表示存“ 1” 。
(2) PROM 和 EPROM
· PROM :出厂无任何信息,使用前由用户按需要将信息写入。一旦写入,
不能更改。
V
CC
W
i
Y
j
PROM 存贮单元:
由双极型三极管和镍铬熔丝组成。
出厂时:全部单元为“ 1” 。
使用时:按需要,一次性编程处理——将
V
CC
加正电压,大电流将熔丝烧断,
单元写入“ 0” 。
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