SIDC50D60C8 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf

SIDC50D60C8是一款由英飞凌（INFINEON）公司采用Emitter Controlled 3技术制造的高速切换二极管芯片。这款芯片专为功率模块设计，具有多种特性，使其在电源驱动和交流应用中表现出色。 SIDC50D60C8芯片的工作电压为600V，这使得它能够在高压环境中稳定工作。其采用了70微米的芯片厚度，确保了在快速开关操作中的高效能。芯片的主要特点包括软切换能力，这意味着在开关过程中，它能平滑地转换状态，降低电路中的应力和损耗。此外，它还具有低反向恢复电荷，这减少了在电流反向流动时的能量损失，提高了整体系统的效率。再者，该芯片的温度系数小，意味着其性能对温度变化的敏感度较低，有助于在不同环境温度下保持稳定工作。 在机械参数方面，SIDC50D60C8的尺寸为9.2 x 5.44毫米²，采用锯片封装于箔上。晶圆尺寸为200毫米，每个晶圆上最多可容纳520个芯片。芯片表面采用Photoimide作为前侧钝化层，背面金属材料为Ni Ag系统，适合环氧树脂和软焊锡的die键合。推荐的存储环境是原始包装内，干燥氮气环境下，避光保存，且在23°C的室温下不超过6个月。 在最大额定值方面，芯片能承受的重复峰值反向电压为600V，连续正向电流IF在结温低于150°C时可达200A。而最大重复正向电流IFRM在同样条件下为400A。结温范围在-40°C到+175°C之间，而操作结温则限制在-40°C到+150°C。动态耐久性方面，当IFMAX为400A，VRMAX为600V，且Tvj ≤ 150°C时，最大功率尚未给出具体数值，但依赖于组件的热特性。 静态特性方面，在结温为25°C时，反向泄漏电流IR在600V反向电压下的典型值为27微安，而阳极-阴极击穿电压VB在反向电流为0.25mA时的典型值为600V。二极管正向电压VF在200A的正向电流下，其值在1.2V至1.9V之间。 然而，值得注意的是，SIDC50D60C8的切换特性和热性能很大程度上取决于模块的设计。这意味着实际应用中，这些参数可能会根据不同的系统配置和散热解决方案有所变化。 SIDC50D60C8是英飞凌开发的一款高性能二极管芯片，适用于需要快速切换、低损耗和高可靠性的功率模块应用。它的特性使其成为电源驱动、AC应用的理想选择，并且其设计考虑了各种工作条件下的稳定性。