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T460N24TOF 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf
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T460N24TOF 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T460N
IFBIP D AEC, 2008-10-16, H.Sandmann
A
58/08 1/10 Seite/page
enndaten
Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
DRM
,V
RRM
2000
2400
2600
V
V
V
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
DSM
2000
2400
2600
V
V
V
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
T
vj
= +25°C... T
vj max
V
RSM
2300
2500
2700
V
V
V
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
TRMSM
1000 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 85 °C
I
TAVM
460 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 55 °C, θ = 180°sin, t
P
= 10 ms I
TAVM
650 A
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
I
TRMS
1030 A
Stossstrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25 °C °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
TSM
10000
9000
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I²t
500
405
10³ A²s
10³ A²s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, i
GM
= 1,25 A,
di
G
/dt = 1,25 A/µs
(di
T
/dt)
cr
120 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter F
(dv
D
/dt)
cr
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 2 kA
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 0,4 kA
v
T
max.
max.
2,75
1,21
V
V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
1,0 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
0,84 mΩ
Durchlasskennlinie 100 A ≤ i
T
≤ 2300 A
on-state characteristic
T
TTT
iD1)i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=
T
vj
= T
vj max
A=
B=
C=
D=
7,500E-01
7,877E-04
-5,399E-03
1,153E-02
Zündstrom
gate trigger current
T
vj
= 25 °C, v
D
= 12V I
GT
max. 250 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
T
vj
= 25 °C, v
D
= 12V V
GT
max. 1,5 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 12V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
I
GD
max.
max.
5
2,5
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max. 0,2 V
Haltestrom
holding current
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V I
H
max. 200 mA
Einraststrom
latching current
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V, R
GK
≥ 10 Ω
i
GM
= 1,25 A, di
G
/dt = 1,25 A/µs,
t
g
= 20 µs
I
L
max. 620 mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
max. 80 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
T
vj
= 25 °C, i
GM
= 1,25 A,
di
G
/dt = 1,25 A/µs
t
gd
max. 3,3 µs
prepared by:
H.Sandmann date of publication: 2008-10-16
approved by: M.Leifeld
revision: 1.0
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