没有合适的资源?快使用搜索试试~ 我知道了~
IAUS300N08S5N011 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf
需积分: 5 0 下载量 21 浏览量
2023-06-30
09:36:21
上传
评论
收藏 1.73MB PDF 举报
温馨提示
试读
10页
IAUS300N08S5N011 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册
资源推荐
资源详情
资源评论
IAUS300N08S5N011
OptiMOS™-5 Power-Transistor
Features
• OptiMOS™ power MOSFET for automotive applications
• N-channel – Enhancement mode – Normal Level
• Extended qualification beyond AEC-Q101
• Enhanced electrical testing
• Robust design
• MSL1 up to 260°C peak reflow
• 175°C operating temperature
• Green product (RoHS compliant)
• 100% Avalanche tested
Maximum ratings, at T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Conditions Unit
Continuous drain current
I
D
V
GS
=10 V, Chip
limitation
1,2)
410 A
V
GS
=10V, DC
current
3)
300
T
a
=85 °C, V
GS
=10 V,
R
thJA
on 2s2p
2,4)
52
Pulsed drain current
2)
I
D,pulse
T
C
=25 °C, t
p
= 100 µs
1505
Avalanche energy, single pulse
2)
E
AS
I
D
=150 A
817 mJ
Avalanche current, single pulse
I
AS
-
300 A
Gate source voltage
V
GS
- ±20 V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
375 W
Operating and storage temperature
T
j
, T
stg
- -55 ... +175 °C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1 - - 55/175/56
Value
V
DS
80 V
R
DS(on)
1.1
mW
I
D
300 A
Product Summary
Type Package Marking
IAUS300N08S5N011
PG-HSOG-8-1 A08S5N11
PG-HSOG-8-1
1
8
1
Tab
Tab
8
Rev. 1.1
page 1 2021-01-26
资源评论
芯脉芯城
- 粉丝: 3
- 资源: 4031
上传资源 快速赚钱
- 我的内容管理 展开
- 我的资源 快来上传第一个资源
- 我的收益 登录查看自己的收益
- 我的积分 登录查看自己的积分
- 我的C币 登录后查看C币余额
- 我的收藏
- 我的下载
- 下载帮助
安全验证
文档复制为VIP权益,开通VIP直接复制
信息提交成功