IPS70R900P7S 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPS70R900P7S是一款基于超级结（Superjunction）原理设计的CoolMOS P7系列高电压功率MOSFET芯片。这款芯片旨在为消费者市场如充电器、适配器、照明和电视等成本敏感的应用提供优化的平台。其特点在于高速开关性能与优秀的性价比，同时提供了高级别的易用性。 IPS70R900P7S的主要特性包括： 1. 极低的损耗：由于其非常低的RDS(on) * Qg和RDS(on) * Eoss（导通电阻乘以栅极电荷和导通电阻乘以输出电容），使得该芯片在工作时能量损失显著减少。 2. 优异的热性能：芯片的热行为优良，能有效散热，有助于降低工作温度，提高系统稳定性。 3. 集成的ESD保护二极管：内置的静电放电保护，提高了芯片的抗ESD能力，增加了系统可靠性。 4. 低开关损耗（Eoss）：在快速开关操作中，损失更小，提升了整体效率。 5. 符合JEDEC标准的产品验证：确保了芯片的高质量和可靠性。 这些特性为设计者带来了以下优势： 1. 成本竞争力：IPS70R900P7S在成本和性能之间达到了良好的平衡。 2. 更低的工作温度：由于其出色的热性能，可以降低系统运行时的温度，延长设备寿命。 3. 高ESD鲁棒性：芯片具有较高的静电防护能力，减少了因ESD事件导致的故障。 4. 提升高频下的效率：在更高的开关频率下，仍能保持高效，适合快速开关应用。 5. 支持高功率密度和小型化设计：通过优化的结构和工艺，能够在有限的空间内实现更高的功率处理能力。 这款芯片适用于如Flyback拓扑的电路，常见于充电器、适配器和照明应用中。在并联使用MOSFET时，通常建议在栅极或单独的对地电感（totem pole）上使用铁氧体珠，以优化性能。 关键性能参数包括： - 最大 Drain-to-Source 电压（VDS @ Tj=25°C）：700V - 最大导通电阻（RDS(on),max）：0.9Ω - 栅极电荷（Qg,typ）：6.8nC - 总电荷（ID,pulse）：12.8A - 输出电容相关的开关损耗（Eoss @ 400V）：0.9µJ - 栅极阈值电压（V(GS)th,typ）：3V - 静电放电等级（HBM）：1C 封装和订购代码为PG-TO 251-3，标记为S900P7。有关更多信息，可参考英飞凌提供的相关链接或附录A。IPS70R900P7S是一款专为高效、紧凑型应用设计的高性能功率MOSFET，能够满足现代电子设备对功率转换和管理的严苛需求。