BSC110N06NS3 G INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf
英飞凌的BSC110N06NS3 G是一款高性能的OptiMOS 3功率晶体管,专门设计用于高频开关和同步整流应用。这款芯片采用优化的技术,适用于DC/DC转换器,其突出特点在于优秀的栅极电荷乘以R DS(on)的产品(FOM),这表示在高速切换时能实现低损耗。此外,它具有卓越的热阻性能,确保了在高热负荷下的稳定工作。 该N沟道、正常级别芯片经过100%雪崩测试,保证了其耐冲击能力。它采用了无铅镀层,符合RoHS标准,并根据JEDEC标准进行资格认证,适用于目标应用。同时,它遵循IEC61249-2-21规定,为卤素免费产品,对环境友好。 在最大额定值方面,当Tj(结温)为25°C时,连续漏极电流ID为50A,而当Tj为100°C时,ID则降至33A。栅极源电压VGS的最大值为±20V。脉冲漏极电流ID,pulse在25°C时可达到200A,但具体的脉冲条件需参考图3获取详细信息。单脉冲雪崩能量EAS在ID为50A和R GS为25W时为22mJ。 芯片的封装为PG-TDSON-8,标记为110N06NS。在Tj=25°C且RthJA(结到环境的热阻)为50K/W时,最大功率耗散Ptot为50W,而当Tj=25°C时,最大RDS(on)为11毫欧,ID为50A。在特定条件下,如设备安装在40mm x 40mm x 1.5mm的环氧树脂PCB FR4上,带有6cm²的铜面积用于漏极连接,垂直放置在静止空气中,结到壳体的热阻RthJC为2.5K/W。 热特性方面,结到环境的热阻RthJA最小值为50K/W,这依赖于最小PCB冷却面积,而电气特性是在Tj=25°C时测量的,除非另有说明。静态特性包括源漏击穿电压V(BR)DSS(VGS=0V,ID=1mA)为60V,门阈电压VGS(th)(VDS=VGS,ID=23μA)在23至4V之间,零栅压漏电流IDSS(VDS=60V,VGS=0V,Tj=25°C)为-0.11μA至-100μA,且在Tj=125°C时,这一值将降低至-10μA。栅源泄漏电流IGSS(VGS=20V,VDS=0V)在-10nA至-100nA之间,而导通电阻RDS(on)在VGS=10V,ID=50A时介于9.0至11毫欧之间。门电阻RG未给出具体数值,通常在1.3Ω左右。 总结来说,BSC110N06NS3 G是一款高性能、环保的功率晶体管,适用于需要高效能和高可靠性的电源转换应用。其出色的热特性和电气性能使其成为各种高频率开关电路的理想选择。
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