IRF7493 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

《IRF7493英飞凌芯片技术详解》 IRF7493是由英飞凌科技公司（INFINEON）推出的高性能功率MOSFET芯片，适用于高频率DC-DC转换器等应用领域。该芯片具备低栅极到漏极电荷，能有效减少开关损耗，且其特性全面，简化了设计流程。此外，IRF7493还具有充分表征的雪崩电压和电流，确保了在工作中的稳定性和可靠性。 在电气特性方面，IRF7493的主要参数如下： 1. **额定电压**：最大漏源电压(VDS)为80V，确保了芯片在高电压环境下工作的能力。 2. **门源电压**（VGS）：门极到源极的最大电压，对于正常工作至关重要。 3. **连续漏极电流**（ID）：在25°C时，VGS=10V下，最大连续漏极电流为15mA；在70°C时，这一数值也会相应变化。 4. **脉冲漏极电流**（ID）：芯片可承受的瞬时大电流冲击。 5. **最大功率耗散**（PD）：芯片在不同温度下的最大功率损耗，线性降温系数为W/°C。 安全工作区域的绝对最大额定值需严格遵守，例如，结到引脚的热阻（RθJC）和结到环境的热阻（RθJA），以及工作和存储温度范围。 在静态特性上，IRF7493的**断态漏源电压**（BVDSS）高达80V，**静态漏源导通电阻**（RDS(on)）在11.5至15mΩ之间，确保低电阻，提高效率。**门阈电压**（VGS(th)）通常在2.0至4.0V之间，漏极到源极的泄漏电流（IDSS）和门极到源极的正向/反向泄漏电流（IGSS）极低，保证了芯片在待机状态下的低功耗。 动态特性方面，**前向传输导纳**（gfs）反映了栅极驱动信号对漏极电流的控制能力，**总栅极电荷**（Qg）决定了开关速度，包括**栅极到源极电荷**（Qgs）和**栅极到漏极电荷**（Qgd）。而**开启延迟时间**（td(on)）、**上升时间**（tr）、**关闭延迟时间**（td(off)）、**下降时间**（nstf）和**输入电容**（Ciss）、**输出电容**（Coss）及**反向转移电容**（Crss）则直接影响了开关的快速响应和稳定性。 在雪崩特性方面，IRF7493具有单一脉冲雪崩能量（EAS）和雪崩电流（JIA），表明该芯片可以承受一定程度的过载，增强了其抗冲击和抗过载的能力。 IRF7493是一款高性能、低损耗、易设计的功率MOSFET芯片，广泛应用于高频率电源转换、电机驱动、负载切换等多种领域。全面的规格书手册提供了详细的技术参数和应用指导，为工程师在实际应用中提供了宝贵的参考资料。