BSZ040N04LS G INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的BSZ040N04LS G是一款高速开关MOSFET，特别适合于开关电源供应（SMPS）和DC/DC转换器应用。这款芯片采用了OptiMOS™3技术，旨在提供优化的性能和可靠性。以下是该芯片的关键特性、规格和电气特性： 1. **特性**： - **快速开关MOSFET**：设计用于高效能电源转换，具有快速开关速度，提高系统效率。 - **JEDEC认证**：按照JEDEC标准进行测试和合格认证，确保在目标应用中的可靠性。 - **N沟道，逻辑电平驱动**：适用于低电压控制信号，与常见的逻辑电路兼容。 - **卓越的门极电荷乘以漏源导通电阻(FOM)**：低门极电荷和漏源导通电阻的组合，提供快速开关性能和低损耗。 - **极低的导通电阻(R DS(on))**：在特定条件下，导通电阻低至4.0毫欧，降低了传导损耗。 - **出色的热阻**：高效散热能力，有助于维持器件在高温下的稳定工作。 - **100%雪崩测试**：确保器件能承受预期的过载条件。 - **无铅镀层，符合RoHS标准**：环保，不含铅。 - **符合IEC61249-2-21的无卤素标准**：符合电子设备的环保要求。 2. **最大额定值**： - **连续漏极电流(I_D)**：在不同温度和栅源电压下，最大连续电流可达40安培。 - **脉冲漏极电流(I_D, pulse)**：在25摄氏度时，脉冲电流峰值可达到160安培。 - **雪崩电流(I_AS)** 和 **雪崩能量(E_AS)**：单脉冲条件下，最大雪崩电流为20安培，单脉冲雪崩能量为130毫焦耳。 3. **工作和存储温度**： - **结温(T_j)** 和 **储存温度(T_stg)**：范围从-55摄氏度到150摄氏度，满足宽温工作环境要求。 4. **热特性**： - **结-壳热阻(R_thJC)**：1.8开尔文/瓦，表示从芯片内部到外壳的热传递效率。 - **结-环境热阻(R_thJA)**：在不同冷却面积下，数值可能变化，最大值为60开尔文/瓦。 5. **电气特性**（在25摄氏度结温下）： - **漏源击穿电压(V_(BR)DS(S))**：在0伏栅源电压和1毫安漏源电流下，击穿电压为40伏。 - **栅阈值电压(V_GS(th))**：当漏源电压等于栅源电压，且漏源电流为36微安时，阈值电压在1.2到2伏之间。 - **零栅压漏极电流(I_DSS)**：在40伏漏源电压和0伏栅源电压下，零栅压漏极电流接近于零。 - **漏源导通电阻(R_DS(on))**：在不同栅源电压和电流下，其典型值在4.5到5.6毫欧之间。 - **栅极电阻(R_G)**：通常小于1.8欧姆。 - **跨导(g_fs)**：最大跨导在20安培漏极电流下可达到4079-S，影响器件的开关速度。 6. **安全操作区**：BSZ040N04LS G在规定的参数范围内工作，以确保长期稳定性和可靠性。 这款英飞凌的MOSFET芯片因其高性能和低损耗特性，被广泛应用于需要高效电源转换和控制的领域，如服务器电源、移动设备充电器、电池管理系统和工业电源系统等。