IMW120R030M1H INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IMW120R030M1H是一款基于CoolSiC™技术的1200V碳化硅（SiC）沟槽MOSFET，这款芯片在设计时着重考虑了高效能、高频率和简化系统复杂性。规格书手册提供了详细的技术参数和性能指标，为开发人员提供了全面的参考信息。 该芯片的主要特点包括： 1. 极低的开关损耗：IMW120R030M1H在开关过程中产生的能量损失非常小，这使得它在高频率应用中表现出色，有助于提高系统的整体效率。 2. 无阈值的导通状态特性：这意味着芯片在开启时无需特定的电压门槛，简化了控制逻辑，并允许更平滑的电流流动。 3. 宽泛的栅源电压范围：芯片可以适应较宽的输入电压，增加了设计的灵活性。 4. 基准的栅极阈值电压：VGS(th)仅为4.5V，这降低了驱动电路的复杂性，并确保了稳定的工作状态。 5. 0V关断门电压：在关闭芯片时，门极电压可降至0V，简化了门驱动的设计。 6. 完全可控的dV/dt：允许精确控制电压变化率，以优化开关性能。 7. 强健的体二极管：内置的体二极管可以在硬开关条件下提供可靠的电流路径，增强了系统的耐用性。 8. 温度独立的关断切换损耗：即使在不同温度环境下，开关损耗也保持稳定，提高了系统可靠性。 这些特性带来的优势主要体现在： 1. 效率提升：低开关损耗和无阈值导通特性直接提升了转换效率，降低了能源浪费。 2. 高频率能力：宽泛的栅源电压范围和低栅极阈值电压使得芯片能够支持更高的开关频率，从而减小了体积和重量。 3. 增加功率密度：由于其高效的性能和紧凑的设计，可以实现更密集的功率模块封装。 4. 减少冷却需求：低损耗意味着需要较少的散热措施，降低了冷却成本。 5. 简化系统复杂性和降低成本：0V关断门电压和完全可控的dV/dt简化了驱动电路设计，降低了整个系统的成本。 该产品已通过JEDEC的相关测试，适用于工业应用，如太阳能逆变器和优化器、工业UPS、工业开关模式电源以及充电设备等。规格书中的关键性能和封装参数表显示，这款MOSFET的额定电压为1200V，最大持续电流为56A，栅极阈值电压为18V时的漏源电阻（RDS(on)）为30mΩ，最大结温为175°C，包装标记为12M1H030，采用PG-TO247-3封装，其中2号引脚为漏极，3号引脚为源极，1号引脚为栅极。 IMW120R030M1H是一款针对高效率、高性能应用设计的碳化硅MOSFET，它的各项技术参数和优势使其成为工业电源、能源生成和基础设施充电等领域理想的选择。