IMBF170R1K0M1 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IMBF170R1K0M1是一款采用CoolSiC技术的1700V碳化硅（Silicon Carbide, SiC）沟槽MOSFET，专为飞回（Fly-back）拓扑设计。这款芯片在工业应用中表现出卓越的性能和效率提升，尤其适用于能源生成、工业电源以及基础设施充电等领域。 规格书中的关键参数如下： 1. **开关损耗极低**：IMBF170R1K0M1设计时考虑了降低开关过程中的能量损失，这有助于提高整个系统的效率，并减少冷却需求。 2. **兼容性**：芯片兼容12V/0V栅源电压，这意味着它可以直接与大多数飞回控制器配合使用，简化了系统设计，减少了外部组件的需求。 3. **门阈值电压**：具有4.5V的基准门阈值电压（VGS(th)），这一特性使得驱动电路的设计更为简单，同时保持良好的开关特性。 4. **EMI优化**：通过完全可控的dV/dt（电压变化率）设计，有助于优化电磁干扰（Electromagnetic Interference, EMI），确保系统运行的稳定性。 5. **封装信息**：采用PG-TO263-7封装，其中，源极和感测引脚不互换，错误连接可能导致功能失效，推荐仅用于正向操作模式。封装内的标记为170M11K0。 6. **工作条件**：在结温为25°C，ID为5.2A时，额定漏源电压VDS为1700V；在结温为25°C，ID为1A，VGS为12V时，导通电阻RDS(on)为1000mΩ；最大结温Tvj,max为175°C。 7. **应用领域**：IMBF170R1K0M1适用于太阳能串式逆变器、太阳能中央逆变器、工业不间断电源（UPS）、工业开关模式电源（SMPS）以及充电器等。 8. **产品验证**：根据JEDEC 47/20/22的相关测试，该芯片已验证适用于工业应用，确保了其在严苛环境下的可靠性。 9. **注意事项**：源极和感测引脚不能互换，错误连接可能导致设备故障，推荐仅在正向操作模式下使用。 IMBF170R1K0M1是英飞凌公司的一款创新碳化硅MOSFET，其独特的材料特性和优化设计使其在高效能、低损耗和易于控制方面表现出色，尤其适合对开关速度和效率有高要求的电力转换系统。由于其兼容性和低门阈值电压，这款MOSFET能方便地集成到现有的飞回拓扑控制器中，降低了系统复杂性，提升了整体系统效率。