IPDD60R102G7 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPDD60R102G7是一款基于C7 GOLD技术的CoolMOS™ G7功率晶体管，适用于高电流拓扑结构，如高达3kW的功率因数校正（PFC）电路。这款芯片的显著特点在于它结合了C7 GOLD技术的优秀性能、四引脚基尔霍夫源极连接（Kelvin Source）能力以及DDPAK封装的出色热特性。 C7 GOLD技术提供了最佳的FOM（Figure of Merit）——RDS(on)*Eoss和RDS(on)*Qg，这意味着在同等条件下，它的导通电阻与栅极电荷乘积优于同类产品，从而实现了更快的开关速度和更高的效率。此外，IPDD60R102G7适合硬开关和软开关应用，如PFC和高性能LLC谐振转换器。 该芯片采用的DDPAK封装内置了第四个基尔霍夫源极引脚，可以显著降低源极电感（约3nH），减少开关过程中的振铃效应，进一步提高效率并简化设计。DDPAK封装符合MSL1标准，无铅且易于目视检查，适用于工业应用，遵循JEDEC 47/20/22标准。 与之前的C7 600V产品相比，C7 GOLD FOM RDS(on)*Qg提升了15%，意味着更快的开关速度，可提升整体系统效率。此外，由于在更小的115mm²占地面积的DDPAK封装中实现了50mΩ的导通电阻，而之前在150mm² D2PAK封装的BIC C7 600V产品中为40mΩ，因此IPDD60R102G7在空间紧凑的应用中更具优势。 降低源极电感的 Kelvin Source 设计不仅改善了效率，还简化了使用，因为减少了振荡。DDPAK封装便于使用，具有高标准的质量，并通过改进的热性能，使得SMD DDPAK封装能够应用于更高电流的设计中，这是以前难以实现的。 IPDD60R102G7主要应用于高功率/高性能开关模式电源（SMPS），如计算设备、服务器、电信、不间断电源（UPS）和太阳能系统。在并联多个MOSFET时，通常建议在门极或单独的对称结构上使用铁氧体珠，以确保稳定运行。 表1列出了关键性能参数，其中包括但不限于：阈值电压（Vth）、漏源饱和电流（Idsat）、雪崩能量（EAS）、栅极电荷（Qg）等，这些参数详细定义了器件的电气特性和工作条件。 总体而言，英飞凌的IPDD60R102G7芯片是高功率应用的理想选择，它集成了先进的工艺技术、优化的封装设计和卓越的热管理，旨在为电源设计提供更高效、更可靠和更易使用的解决方案。