IPDD60R105CFD7 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

Infineon 英飞凌芯片 IPDD60R105CFD7 规格书手册 本文档为 Infineon 英飞凌芯片 IPDD60R105CFD7 的规格书手册，介绍了该芯片的技术参数、特点和应用场景。 技术参数 -------- ### MOSFET 参数 * 输出电压：650V * 最大漏极电阻（RDS(on)）：105mΩ * 门控电荷（Qg）：36nC * 脉冲电流（ID,pulse）：66A * 储能氧化物（Eoss）：400V ### 特点 * 超高速体二极管 * 低门控电荷 * 最佳反转回复电荷（Qrr） * 提高 MOSFET 反转二极管 dv/dt 和 diF/dt 坚韧性 * 最低 FOM RDS(on)*Qg 和 RDS(on)*Eoss * 最佳 RDS(on) 在 SMD 和 THD 封装 ### 优点 * 优秀的硬交换强度 * 最高的可靠性 pentru 共振拓扑 * 最高的效率和优越的易用性 / 性能权衡 * 实现高功率密度解决方案 ### 应用场景 * 适合软交换拓扑，如 phase-shift 全桥（ZVS）和 LLC * 适合服务器、电信、电动汽车充电等应用 ### 产品验证 * 已经根据 JEDEC 规则进行了工业应用验证 注意事项 -------- * 请注意，源极和感知源极引脚不可互换。其互换可能会导致芯片失灵。 * 对于 4pin MOSFET 设备，通常建议将门控电阻器放在驱动源侧，而不是门控侧。 表 1 主要性能参数 ------------------ | 参数 | 值 | 单位 | | --- | --- | --- | | VDS @ Tj,max | 650 | V | | RDS(on),max | 105 | mΩ | | Qg,typ | 36 | nC | | ID,pulse | 66 | A | | Eoss @ 400 | - | V | IPDD60R105CFD7 是一种高性能的 MOSFET，适合软交换拓扑和高功率密度解决方案，具有优秀的硬交换强度、最高的可靠性和效率。