BSS119N INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

BSS119N 英飞凌芯片中文版规格书手册 本文档提供了 BSS119N 英飞凌芯片的详细规格书手册，包括其特性、最大额定值、热特性、电气特性、静态特性、动态特性等方面的信息。 特性： * N-通道增强模式 Logic Level（4.5V 额定） * 雪崩 Rated * Qualified according to AEC Q101 * 100% Lead-free; RoHS Compliant; Halogen free 最大额定值： * 连续漏极电流（I_D）：0.19A（Tj=25°C），0.15A（Tj=70°C） * 脉冲漏极电流（I_D,pulse）：0.77A * 雪崩能量（E_AS）：2.0mJ * 反向二极管 dv/dt：6kV/µs * 门源电压（V_GS）：±20V * 功率损耗（P_tot）：根据 Tj=25°C * 工作和存储温度（T_j,T_stg）：-55°C ... 150°C * ESD Class：JEDEC22-A114 - HBM (<250V) * 焊接温度：260°C * IEC 气候类别；DIN IEC 68-155/150/56 热特性： * 热阻抗（R_thJA）：minimal footprint 250K/W 电气特性： * 漏极源电压（V_DS）：100V * 门源电压（V_GS）：±20V * 漏极电流（I_D）：0.19A * 门源电流（I_GS）：-10nA * 漏极电阻（R_DS(on)）：29000mΩ（V_GS=4.5V），24000mΩ（V_GS=10V） 静态特性： * 漏极源击穿电压（V_BD）：100V * 门源阈值电压（V_GS(th)）：1.3V ... 1.9V * 漏极源漏电流（I_DSS）：0.01mA（T_j=25°C），5mA（T_j=150°C） * 门源漏电流（I_GSS）：-10nA 动态特性： * 输入电容（C_iss）：15.7pF ... 20.9pF * 输出电容（C_oss）：3.4pF ... 4.5pF * 反向传输电容（C_r）：-15.7pF ... 20.9pF 本文档提供了 BSS119N 英飞凌芯片的详细规格书手册，涵盖了其特性、最大额定值、热特性、电气特性、静态特性、动态特性等方面的信息，为设计者和开发者提供了有价值的参考信息。