IRL100HS121 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

IRL100HS121 英飞凌芯片规格书手册 IRL100HS121 是一款高性能的 MOSFET 芯片，由英飞凌（Infineon）生产。该芯片具有高power density设计、高速开关频率和低on-Resistance，其应用场景包括无线充电、适配器、电信等领域。 技术规格 * 包括Gate-to-SourceVoltage（VGS）、Drain-to-Source On Resistance（RDS(on)）和Drain Current（ID）等参数。 * VGS 的典型值为 1.7V，RDS(on) 的最大值为 42mΩ @ 10V，Qg 的典型值为 3.7nC，Qgd 的典型值为 1.6nC。 * 该芯片支持高达 100V 的 Drain-SourceVoltage。 应用场景 * 无线充电：该芯片支持高频率的开关，适合无线充电应用。 * 适配器：该芯片的高power density设计和低on-Resistance使其适合适配器应用。 * 电信：该芯片的高速开关频率和低on-Resistance使其适合电信应用。 优点 * 高power density设计：该芯片支持高频率的开关和低on-Resistance，适合高power density设计。 * 高速开关频率：该芯片支持高速的开关频率，适合高速开关应用。 * 低on-Resistance：该芯片的on-Resistance非常低，适合需要低on-Resistance的应用。 * 系统成本降低：该芯片可以直接由微控制器驱动，减少了系统成本。 封装信息 * 该芯片采用 PQFN 2mm x 2mm 封装，具有高密度的接口和低profile设计。 * 该芯片的 Orderable Part Number 是 IRL100HS121。 datasheet信息 * 该datasheet版本为 V2.1，发布日期为 2018-05-08。 * 该datasheet包括目标应用场景、技术规格、封装信息和应用注意事项等内容。 结论 IRL100HS121 是一款高性能的 MOSFET 芯片，具有高power density设计、高速开关频率和低on-Resistance等特点，适合无线充电、适配器、电信等应用领域。