DSA2001_E-1142351.pdf

这篇文档是关于"DSA2001"的一款硅基PNP型晶体管的详细规格说明，主要应用于一般放大电路，并且与DSC2001形成互补。该器件的主要特性包括： 1. 高正向电流转移比(hFE)：具有优秀的线性特性，这使得DSA2001在放大信号时能保持良好的效率和稳定性。 2. 低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：在一定的工作条件下，这个参数决定了晶体管在饱和区时的电压损失，较低的值意味着更好的开关性能和更低的功耗。 3. 符合环保标准：产品无卤素，符合欧盟RoHS、UL-94 V-0以及MSL级别1的要求，这意味着它对环境友好并且有良好的耐热和湿度性能。 4. 标记符号：产品标记为"A1"，包装方式为DSA2001×0L，采用Embossed类型的封装（热压密封），标准包装为每卷3000个。 在绝对最大额定值方面： - 集电极-基极电压(发射极开路)VCBO：-60V - 集电极-发射极电压(基极开路)VCEO：-50V - 发射极-基极电压(集电极开路)VEBO：-7V - 集电极电流IC：-100mA - 峰值集电极电流ICP：-200mA - 集电极功率耗散PC：200mW - 结温Tj：150°C - 工作环境温度Topr：-40°C到+85°C - 存储温度Tstg：-55°C到+150°C 电气特性在25°C±3°C的条件下： - 集电极-基极电压(发射极开路)VCBO：当IC = -10mA，IE = 0时，最低为-60V。 - 集电极-发射极电压(基极开路)VCEO：当IC = -2mA，IB = 0时，最低为-50V。 - 发射极-基极电压(集电极开路)VEBO：当IE = -10mA，IC = 0时，最低为-7V。 - 集电极-基极截止电流(发射极开路)ICBO：当VCB = -20V，IE = 0时，最高为0.1mA。 - 集电极-发射极截止电流(基极开路)ICEO：当VCE = -10V，IB = 0时，最高为100mA。 - 正向电流转移比*hFE：当VCE = -10V，IC = -2mA时，范围在210到460之间。 - 集电极-发射极饱和电压VCE(sat)：当IC = -100mA，IB = -10mA时，范围在-0.2到-0.5V。 - 过渡频率fT：当VCE = -10V，IC = -2mA时，为150MHz。 - 集电极输出电容(Cob)：当VCB = -10V，IE = 0，f = 1MHz时，为2pF。 测量方法遵循日本工业标准JIS C 7030对于晶体管的测量方法。此外，hFE的等级分类分为RS0、RS和No-rank，其中A1标记的器件属于No-rank类别，没有特定的等级标志。 封装类型为TO-236AA/SOT-23，该晶体管的引脚分别为1：基极，2：发射极，3：集电极。制造商为松下(Panasonic)，产品型号Mini3-G3-BJEITASC-59A。 DSA2001是一款高性能的PNP型晶体管，适用于各种放大应用，其电气特性优良，同时满足严格的环保标准。