FLASH读写控制[归纳].pdf

在软件开发中，理解和掌握Flash存储器的读写控制至关重要，尤其是在嵌入式系统和微控制器应用中。本文主要介绍了NOR型Flash存储器，包括其结构、工作原理以及Am29lv160DB这款NOR Flash的具体特性。 NOR Flash是由Intel在1988年推出的，它改变了EPROM和EEPROM的传统存储方式。NOR Flash的特点是支持芯片内执行（XIP），这意味着程序可以直接在Flash内存中运行，无需先加载到RAM。其传输效率高，在小容量应用中成本效益显著，但写入和擦除速度较慢。相比之下，NAND Flash结构设计更注重存储密度和速度提升，虽然写入和擦除速度快，但管理和接口设计较为复杂。 Am29lv160DB是一款NOR型Flash，具备体积小、容量大、数据持久性好、读取速度快等优点。它有独立的地址和数据总线，可实现与SRAM相当的读取速度。然而，写入和擦除操作需要遵循特定的指令序列。写入是以字节或字为单位进行，而擦除则以块为单位，如64K大小的块。擦除操作包括区域擦除和全芯片擦除，后者在本例中被采用，数据在WE信号的上升沿被锁存。 在实际应用中，例如在FPGA控制下，对Flash进行读写验证通常涉及以下步骤： 1. **擦除操作**：执行CHIP ERASE命令，确保在WE上升沿稳定地写入数据到指定地址。 2. **写操作**：遵循Programme操作的时序，先发送操作码，然后写入数据。每次写入后，Flash状态机会自动切换到读取模式，若需继续写入，需重新发送操作码。 3. **读操作**：最简单，只需提供要读取的数据地址，OE信号激活后，经过一定延迟，数据会被读出。 通过这样的操作流程，可以验证FPGA对Flash的控制是否正确。当写入数据与读出数据一致时，可以通过LED灯显示验证结果。 理解Flash的读写控制对于软件开发者来说是基础技能，它涉及到存储器的管理、系统的初始化、数据的持久化以及硬件接口的交互。在设计和调试过程中，熟悉这些操作可以帮助优化系统性能，避免数据丢失，并确保软件的稳定运行。