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特点 :
1. 位于接收机的最前
端
噪声越小越好
要求有适当的稳定的增益
2. 接收的信号很微弱且变化
小信号线性放大器
线性动态范围大
增益自动控制
3. 通过传输线直接和天线或天线滤波器相连 —— 匹配
4. 应具有选频功能,抑制带外和镜象频率干扰
本章内容: 1. 低噪声放大器的性能指标
2. 低噪声放大器的设计
第五章 低噪声放大器
特点:模型中的每个参数均对应一定的物理意义
适用的频率范围较宽
举例:混合 型模型
1. 物理模型——等效电路模型
2. 网络模型
特点:把晶体管视为一个双端口黑盒子,分析其端口参数
适用于特定频率、线性参数
举例: S 参数
注意:应用不同的模型,分析设计低噪放的方法不同
本章重点——用晶体管的混合 型模型分析、设计低噪放
描述晶体管的两种模型
指标 0.5μm GaAs FET 0.8μm Si Bipolar
电 源 电 压 3.0V 1.9V
电 源 电 流 4.0mA 2.0mA
频 率 1.9GHZ 1.9GHZ
噪声系数 NF 2.8dB 2.8dB
增益 Gain 18.1dB 9.5dB
IIP
3
- 11.1dBm - 3dBm
Input VSWR 1.5 1.2
Output VSWR 3.1 1.4
隔 离 21dB 21dB
低噪放( LNA )——高频、小信号、线性、选频放大器
5.1 低噪声放大器指标
( 1 )低功耗——移动通信的必然要求
( 2 )工作频率——取决于晶体管的特征频率
T
f
C
g
cc
g
f
mm
T
2)(2
与工作点有关
取决于半导体工艺
低电源电压
小的静态电流——跨导 小
m
g
低噪放( LNA )指标分析
双极晶体管
' '
1 1
1 1
2 2 2
bb m S bb
m S m S
r g R r
F
Rs g R Rs g R
场效应管
mS
gR
F
11
1
②双极晶体管放大器的噪声
与基区体电阻 有关
`
bb
r
① 放大器的噪声与工作点有关——
m
g
③放大器噪声系数与信号源内阻有关
分析:
线性网络:
S
Snn
kTBR
RIV
F
4
)(
1
2
( 3 )噪声系数
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- joseph_ma09212013-03-13课件与教材配套
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