第一章 微波混频器
1. 金属—半导体 ( 肖特基势垒 ) 二极管
单向导电性,基本参数 ( 伏安特性、结电阻、结电容、
串联电阻、引线电感、封装电容、截止频率、噪声温
度、噪声温度比 )
2. 混频器的基本原理及分析方法
利用伏安特性的级数展开得到时变电导,利用时变电导得到
中频电流,注意其中的条件是本振远大于信号
混频器中的四个频率:本振、信号、中频、镜频
混频器的变频损耗:净变频损耗、结损耗、失配损耗
净变频损耗:镜频开路、短路及匹配时的变频损耗,注意镜
频匹配是怎样实现的。
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