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硅集成电路工艺——离子注入PPT学习教案.pptx
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会计学
1
硅集成电路工艺—
—离子注入
离子注入的优点
:
掺杂纯度高,污染小;
掺杂的均匀性和重复性好;
工作温度低,工艺灵活性大;
掺杂深度和掺杂浓度可精确独立地控制;
最大掺杂浓度不受固溶度限制;
低温工艺避免高温引起的热缺陷;
离子注入直进性,横向效应小;
掩蔽膜作为保护膜,污染小;
适合化合物掺杂;
可发展成无掩膜的离子束技术。
第
1
页
/
共
35
页
Self-al
ignment
(自对准掺杂)
第
2
页
/
共
35
页
离子注入的缺点:
入射离子对衬底有损伤;
很浅和很深的结难于制得;
高剂量注入产率受限制;
设备昂贵。
第
3
页
/
共
35
页
§4.1
离子注入机理
核碰撞(核阻止)
和晶格原子的原子核
发生碰撞
发生明显的散射
造成大量晶格损伤
S
n
(E)=(dE/dx)
n
电子碰撞(电子阻止)
和晶格原子的电子发生碰撞
注入离子的路径基本不发生
变化
能量转移很小
造成的晶格损伤很小
S
e
(E)=(dE/dx)
e
LS
S
理论:
S=S
n
+S
e
第
4
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