场效应管工作原理与应用PPT学习教案
本资源摘要信息旨在对场效应管的工作原理和应用进行详细的介绍。场效应管是一种半导体器件,具有体积小、工艺简单、器件特性便于控制等特点,是目前制造大规模集成电路的主要有源器件。
场效应管的工作原理可以分为两大类:MOS 场效应管和增强型 MOS 场效应管。MOS 场效应管是通过栅源电压 VGS 的变化来控制漏极电流 ID 的,VGS 大于阈值电压 VGS(th) 时,形成导电沟道,漏极电流 ID 增加。N 沟道 MOS 场效应管和 P 沟道 MOS 场效应管的工作原理相似,不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同。
场效应管的分类包括 MOS 场效应管、增强型 MOS 场效应管和耗尽型 MOS 场效应管等。增强型 MOS 场效应管的工作原理可以分为三大步骤:第一步,假设 VDS = 0,讨论 VGS 作用,形成空间电荷区并与 PN 结相通;第二步,VDS 对沟道的控制,VDS 很小时,VGD 近似等于 VGS, Ron 不变;第三步,VDS 增加到使 VGD 等于 VGS(th) 时,出现预夹断, Ron 增大。
此外,场效应管的输出特性曲线也可以分为三大部分:第一部分,VDS 小于 VGS(th) 时,ID 线性增加;第二部分,VDS 等于 VGS(th) 时,出现预夹断,Ron 增大;第三部分,VDS 大于 VGS(th) 时,ID 基本维持不变。
场效应管的应用非常广泛,例如在数字电路、模拟电路、电力电子等领域都有广泛的应用。最后,场效应管的优点包括体积小、工艺简单、器件特性便于控制等。
本资源摘要信息对场效应管的工作原理和应用进行了详细的介绍,为读者提供了一个系统的了解场效应管的机会。