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CMOS模拟集成电路设总复习实用PPT学习教案.pptx
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CMOS模拟集成电路设总复习实用PPT学习教案.pptx
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会计学
1
CMOS
模拟集成电路
设总复习实用
1.
MOS
器件原理
2.
电流镜
3.
带隙基准
4.
反相器(三种类型)
5.
差分放大器
6.
共源共栅放大器
7.
输出放大器
8.
运算放大器
知识点
第
1
页
/
共
56
页
P--Si
P
型
Si
衬底
(
Semiconductor)
N
+
N
+
栅极
(Gate
)
金属
( Metal ) A
l
层
G
D
S
氧化物
(Oxide) SiO
2
层
器件结构
MOS
器件原理
第
2
页
/
共
56
页
P--Si
G
D
S
N
+
N
+
V
GS
> 0
时
,
在栅极下面的二氧化硅中将
产生一个指向
P
型衬底、且垂直
衬底表面的电场。电场排
斥空穴,吸引电
子到半导体表面。
反型层
V
GS
越大吸引到半导
体表面的电子就越多,
当
V
GS
>
V
T
时,吸引到栅
极附近
P
型硅表面的电子积累形成
N
型反型薄层。器件表面的导
电类型从原来的
P
型反型到现在的
N
型,导电沟
道形成。
V
GS
MOSFET
的工作原理—导通过程
第
3
页
/
共
56
页
E
继续增大
V
GS
可使形成的
反型层增宽
(
N
型导电沟道
)
,将源区和漏区
连接起来。
V
GS
越大
,
反型
层越宽
,
源漏间的导
电能力越强。
P--Si
G
D
S
N
+
N
+
反型层
V
G
S
将开始形成
反型层所需的
V
GS
值称为
开启电压
V
T
,
也称为
阈值电压
。
开启电压
V
T
是增强型
MOSFET
的重要参数,其大小主要
取决于
SiO
2
层的厚度以
及衬底掺杂浓度。
MOSFET
的工作原理—导通过程
第
4
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56
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