MOSFET 参数理解及测试方
法
MOSFET 参数很多,一般 Datasheet 包含以下参数:
极限参数:
VDS :额定漏 - 源电压,此电压的大小由芯片设计决定。
VGS :额定栅 - 源电压,此电压的大小由芯片设计决定。
ID : 额定最大漏源电流。是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通
过的最 大电流。场效应管的工作电流不应超过 ID 。特定温度下,
此电流的大小由 RDS ( ON )和封装形式决定,其计算公式如下:
T
Jmax
: MOS 最大结点工作温度 150℃
R
θJC
: 封装热阻(节点 - 外壳)
T
C
: Case 表面温度为 25℃
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