Power MOSFET
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垂直导电型 MOSFET
平面型:具有垂直导电双扩散 MOS 结构的 VDMOSFET Vertical Double-
diused MOSFET ,多个单元结构。具有相同 RDS(on) 电阻 MOSFET 并联,
等效电阻为一个 MOSFET 单元 RDS(on) 的 1/n 。裸片面积越大其导通电阻
越低,但寄生电容越大,因此开关性能越差。很多公司产品采用。
沟槽型
V 型沟槽:不容易生产, V 尖角容易形成高的电场
U 型沟槽:平面型的演变,切开翻转 90 度。栅结构不与裸片表面平行而是构建
在沟道之中垂直于表面,因此占用空间较少且使电流流动真正垂直,最小化基
本单元面积,在相同的占位空间中可以集成更多的单元从而降低 RDS(on) 并
维持电容不变。
电流流动垂直
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