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CMOS集成电路集成工艺.pptx
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csv文件下载(人员信息.txt)
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由于在学习numpy数据分析的时候没有csv类型文件,又懒得自己一个个敲字,便想来csdn里随便下载一个。然而......居然要钱啊!!!!!!!我没钱,所以自己写了个,我不要你们的钱,麻烦各位拿资源的时候吱一声,这是对我莫大的鼓励,谢谢!
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CMOS集成电路集成工艺
上海市集成电路高技能人才培养基地
上海市集成电路高技能人才培养基地
概述
硅片
芯片
•
晶体管是在非常薄的、轻掺杂的硅的片上制造的,称为晶圆片(硅片
)
•
集成电路加工工艺用于完成制造成千上万个晶体管,以构成一个芯
片。
•
通过划片并封装在一个非常小的体积内。
上海市集成电路高技能人才培养基地
课程主要内容
•
前道(Front end of line)工艺
1.
有源区模块
2.
掺杂模块
3.
栅电极模块
4.
源/漏扩展模块
5.
间隙壁(边衬)模块
6.
结模块
7.
金属硅化物模块
•
后道(Back end of line)工艺
1. PMD模块
2. 接触孔模块
3. 铝制程
4. 铜制程
CMOS工艺器件剖面结构示意图
BEOL
FEOL
上海市集成电路高技能人才培养基地
前道工艺
形成器件和隔离
MOS
器件
MOS
器件
STI
隔离
上海市集成电路高技能人才培养基地
前道工艺
•
晶圆片被划分为许多个晶体管区域,每一个区域 都
称作一个有源区(工作区)。用一些绝缘的二氧化
硅来分隔这些区域,这 些被称作场氧(场区二氧化
硅)。
•
场氧的用途是将工作区一一隔绝开来,以避免串扰
和防止寄生电 流在不同工作区之间流动。
•
由于不同的物理设计,nMOS和pMOS必须得在相隔
的有源区制造。称作“阱”。有两种不同的阱:
P阱: 包含nMOS晶体管
N阱: 包含 pMOS晶体管
•
这些阱在沟道掺杂模块中产生。同时,晶体管的沟
道区域也被优 化了。沟道区域是工作区中靠近硅表
面的部分。
•
在沟道上方形成绝缘层
•
制作导电的栅电极,通常用多晶硅
有源区模块
单晶硅衬底
掺杂模块
栅电极模块
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