没有合适的资源?快使用搜索试试~ 我知道了~
面向可见光通信的硅基InGaNGaN多量子阱波导定向耦合器光子集成芯片.docx
1.该资源内容由用户上传,如若侵权请联系客服进行举报
2.虚拟产品一经售出概不退款(资源遇到问题,请及时私信上传者)
2.虚拟产品一经售出概不退款(资源遇到问题,请及时私信上传者)
版权申诉
0 下载量 88 浏览量
2023-02-23
20:01:32
上传
评论
收藏 735KB DOCX 举报
温馨提示
试读
11页
面向可见光通信的硅基InGaNGaN多量子阱波导定向耦合器光子集成芯片.docx
资源推荐
资源详情
资源评论
1. 引言
可见光通信是一种利用可见光信号进行数据传输的新型通信技术,受到调制的电信号
控制的发光二极管(Light-Emitting Diode, LED)发出高速闪烁的可见光信号可以高效传输信
息
[1,2]
。在可见光通信系统中,光子集成芯片是实现可见光信号发射、处理、传输和接收的
关键终端器件,具有很高的技术要求和研究价值
[3,4]
。光子集成技术是在一片基片上将若干
光器件用光波导连接,可减少可见光通信系统中需要的独立光器件的数量和光器件封装次
数。在降低系统成本、尺寸和能耗的同时使得系统性能及可靠性得到大幅提高。光子集成
芯片可以在超小尺度范围内实现电信号与光信号的高速转换,光子集成芯片作为终端器
件,其性能会对可见光通信系统的整体性能产生影响
[5]
。在面向可见光通信的光子集成芯
片领域,III 族氮化物材料作为第 3 代半导体材料的典型代表,具有宽波段下光吸收率低、
可产生覆盖整个可见光波段的宽谱光信号等优异的光学特性和光电特性,是继锗、硅和砷
化镓材料体系之后最有前景的半导体材料之一,适合用来实现可见光通信系统亟需的终端
器件
[6,7]
。
定向耦合器
[8,9]
作为光子集成芯片中的关键器件之一,具有传输、耦合和分配光信号的
作用。早期定向耦合器基于石英材料,主要应用于微波波段,在微波传输系统中通常需要
将某一输入功率按照一定比例分配到各个支路中去。定向耦合器由于具有插入损耗小、频
段宽、能承受较大输入功率等优点,得到广泛应用
[10]
。电子科技大学的蒋平
[11]
研究了一种
可应用于微波系统中的由脊波导构成的定向耦合器,此类定向耦合器比矩形波导定向耦合
器有更宽的单模工作带宽。之后定向耦合器的应用拓展至中红外、近红外波段。以色列特
拉维夫大学的 Tugendhaft 等人
[12]
研究了一种由多模光纤构成的中红外线定向光纤耦合器,
红外信号可以直接从一种光纤传输至另一种光纤,不需要批量的光学组件进行耦合处理,
大大降低了传输系统的成本。韩国成均馆大学的 Jang 等人
[13]
设计了一种用侧面抛光方法制
备的红外波段可调光子晶体光纤定向耦合器,该定向耦合器具有高可调性,耦合比可从
0%调制至 100%。
之后随着 III 族氮化物材料的发展,定向耦合器作为集成光子芯片的核心器件之一,
其制作材料也开始使用光吸收率更低氮化镓(Gallium Nitride, GaN)系材料,适用波长范围拓
展至近红外至可见光范围。以色列霍隆理工大学的 Malka 等人
[14]
基于氮化镓-二氧化硅材
料,利用多角度多模干涉设计了一种槽波导结构的定向耦合器光解多路复用设备,具有低
插入损耗,可用来提高可见光通信系统的性能。印度尼西亚大学的 Hamidah 等人
[15]
研究了
基于蓝宝石衬底的 S 弯曲型的 III 族氮化物定向耦合器,将可见光信号分为两个传输分支
进行传播,光场传播均匀,在此基础上,设计出 4 分支光功率分光器,得到了 4 个光功率
输出均匀的传输分支
[16]
。英国斯克莱德大学的 Zhang 等人
[17]
研究了大截面型的基于蓝宝石
衬底的 III 族氮化物定向耦合器,所需耦合长度减少 50%,功率传输效率更高。日本东北
大学的 Thubthimthong 等人
[18]
研究了在硅衬底 III 族氮化物上实现纳米尺度光子晶体波导辅
助的定向耦合器。在耦合器的输出端口上观察到高散射的近红外光信号,最大耦合效率约
为 50%。英国布里斯托尔大学的 Engin 等人
[19]
研究设计了蓝宝石衬底上具有氮化铝晶格匹
配层的 III 族氮化物可调光子晶体定向耦合器,利用有限元时域差分法分析了器件耦合波长
和 GaN 层折射率之间的变化关系。上述研究关注了在不同衬底材料、不同形状下的定向耦
合器对可见光信号的传输能力和光功率分配情况,在定向耦合器与片上可见光光源和光电
探测器等有源器件的集成工作上仍有发展空间。本实验室在 2017 年研究了一种利用
InGaN/GaN 多量子阱二极管作为发射端和接收端,用氮化镓定向耦合器和悬浮波导进行连
接的光子集成芯片,尝试了定向耦合器与有源器件的初步集成
[20]
。
本文基于硅基 InGaN/GaN 多量子阱材料
[21,22]
,结合光刻工艺、III-V 族材料感应耦合
等离子体刻蚀深反应离子刻蚀等标准半导体工艺,制备出硅基 InGaN/GaN 多量子阱定向耦
合器光子集成芯片,主要包含可见光波段的微型 LED 光源、波导定向耦合器、微型光电探
测器 3 部分。微型 LED 光源作为发射端,发射出 445 nm 的蓝光波段可见光信号,经过波
导定向耦合器的 Y 字形分路结构,分成两路光功率相同的信号,实现了光子集成芯片的片
内有效传输耦合和光功率平均分配,并且利用光学仿真软件证明了这一点。本文还对光子
集成芯片进行了可见光通信测试,发现输入信号与输出信号存在对比关系,可以实现可见
光通信。本研究为光子集成芯片的光电转换系统和可见光范围内的平面光通信提供了更多
的可能性。
2. 硅基 InGaN/GaN 多量子阱波导定向耦合器光子集成芯片的制备与
形貌表征
2.1 光子集成芯片的制备过程
本文研究中使用的材料为带有 InGaN/GaN 多量子阱的硅基 III 族氮化物外延晶圆,图
1(a)为晶圆的分层截面示意图。为提高可见光通信的电光转换效率,本文使用高质量的
InGaN/GaN 多量子阱结构作为进行电光转换的有源层,多量子阱层本身的载流子和光子的
转换效率较高。图 1(b)为硅基 InGaN/GaN 多量子阱波导定向耦合器光子集成芯片的加工工
艺流程图。首先利用光刻技术在晶圆上表面进行图形化,制备微型 LED 光源、波导定向耦
合器和微型光电探测器的主要结构。之后进行电感耦合等离子体反应离子刻蚀(Inductively
Coupled Plasma-Reactive Ion Etching, ICP-RIE)将 III 族氮化物外延层刻蚀至 n 型 GaN 层(步
骤(1))。去除残留光刻胶后,再利用光刻技术制备金属电极的图形,之后利用电子束蒸镀技
术沉积 20nmNi/180nmAu 金属薄膜,最后利用剥离技术获得作为微型 LED 光源和光电探测
器正负电极的金属结构 (步骤(2), (3))。
图 1 光子集成芯片的结构与制备图
下载: 全尺寸图片 幻灯片
图 1(c)为设计的硅基 InGaN/GaN 多量子阱波导定向耦合器光子集成芯片的 3 维示意
图。右侧器件为微型 LED 光源,用于发射可见光信号,中间部分的绿色器件为波导定向耦
合器,对可见光信号进行传输、耦合和分配,将分为两路的可见光信号引入左侧两个相同
的光电探测器。为了让可见光信号在波导和定向耦合器内部进行片内传输,本文优化了电
光转换的微型 LED 光源和光电转换的光电探测器的结构设计,制备微型有源区结构,并使
用覆盖面积大、电流分布效果好的圆形电极进行载流子注入,尽可能提高微型 LED 光源的
电光转换效率。在光电探测器一端使用同样的器件优化结构设计,使得传输耦合进入光电
探测器的可见光信号的光子能够高效转换为电子,产生光电流,实现可见光信号的信息传
输,形成单发射、双接收的终端系统。
2.2 光子集成芯片的形貌表征
图 2(a)为利用光学显微镜观察制得的硅基 InGaN/GaN 多量子阱波导定向耦合器光子
集成芯片的整体形貌结构,微型 LED 光源与光电探测器的整体结构相同,中间由波导和定
向耦合器连接。图 2(b)为放大的波导定向耦合器的局部形貌结构。如图 2 所示,利用标准
半导体工艺制备的硅基 InGaN/GaN 多量子阱波导定向耦合器光子集成芯片加工质量良好,
主要器件结构符合设计,光子集成芯片核心部分的定向耦合器结构清晰,没有明显加工缺
陷。利用扫描电子显微镜观察波导定向耦合器的结构细节,从图 3 可以发现利用 III-V 族
材料的 ICP-RIE 刻蚀加工的波导定向耦合器包含的 3 段平行直波导经过刻蚀加工分开,形
成了相互独立的耦合区域,其中波导耦合长度为 147.8 μm,耦合部分的波导宽度为 5.4
μm,耦合间隙为 2.2 μm。
图 2 硅基 InGaN/GaN 多量子阱波导定向耦合器光子集成芯片的光学显微镜图
剩余10页未读,继续阅读
资源评论
罗伯特之技术屋
- 粉丝: 3542
- 资源: 1万+
下载权益
C知道特权
VIP文章
课程特权
开通VIP
上传资源 快速赚钱
- 我的内容管理 展开
- 我的资源 快来上传第一个资源
- 我的收益 登录查看自己的收益
- 我的积分 登录查看自己的积分
- 我的C币 登录后查看C币余额
- 我的收藏
- 我的下载
- 下载帮助
安全验证
文档复制为VIP权益,开通VIP直接复制
信息提交成功