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eetop.cn_IC617仿真gmID曲线 本文旨在指导初学者学习运算放大器设计，特别是 gm/Id 曲线的仿真和实现。下面是对标题、描述、标签和部分内容的详细解释和知识点总结。 gm/Id 曲线的重要性 在运算放大器设计中，gm/Id 曲线是非常重要的参数之一。gm 代表 mutual conductance，即共享导纳，表示 MOS 管的输出电阻和输入电阻之间的关系。Id 则是 MOS 管的漏电流。gm/Id 曲线可以帮助设计者了解 MOS 管的工作状态和性能。 TSMC 0.18um 工艺 在本文中，我们使用 TSMC 0.18um 工艺来仿真 gm/Id 曲线。TSMC 是世界领先的半导体制造公司之一，其 0.18um 工艺是指 MOS 管的最小特征尺寸为 0.18 微米。 仿真步骤 为了仿真 gm/Id 曲线，我们首先需要搭建一个原理图。我们使用 ADE 工具来进行仿真。我们需要设置仿真管子的标识为 M0，並将 Vgs 和 Vds 的值设置为两个直流电压源。然后，我们需要添加输出参数 gm/Id，并设置扫描参数。我们可以点击“运行”按钮，自动化出结果。 gm/Id 曲线的实现 在实现 gm/Id 曲线时，我们需要使用 calculator 工具来计算 gm 和 Id 的表达式。我们可以使用 pv 函数来计算 gm 和 Id 的值，然后使用栈来编辑公式。我们可以将结果导出到 CSV 文件，并使用 Excel 打开和绘制图形。 知识点总结 1. gm/Id 曲线是运算放大器设计中的重要参数之一。 2. TSMC 0.18um 工艺是指 MOS 管的最小特征尺寸为 0.18 微米。 3. 为了仿真 gm/Id 曲线，我们需要搭建原理图和设置仿真参数。 4. 使用 calculator 工具可以计算 gm 和 Id 的表达式。 5. gm/Id 曲线可以帮助设计者了解 MOS 管的工作状态和性能。 结论 通过本文的指导，初学者可以学习如何仿真和实现 gm/Id 曲线，并了解运算放大器设计的基本概念和技术。同时，本文也为设计者提供了实际操作步骤和经验分享。