电路是存在缺陷的，温度变化和Early效应会影响电路的性能和稳定性。
基极-发射极之间的压降会随着温度的变化而发生变动，VBE会随着温度的升高而减小，导致偏置电压下降，反之亦然。这种变化会直接影响三极管的工作状态，会引起电流随温度变化而漂移。
当集电极电流固定，VBE（Early效应）与β会随集电极-发射极间的电压稍微变化。Early效应是指当BJT的VCE增加时，集电结的反向偏置电压增大，使集电极电流（IC）增大。由负载两端电压变化产生的VBE变化会引起输出电流的变化，即使已施加一个固定不变的基极电压，发射极电压（即发射极电流）也在变化。因IC=IE-IB，对于固定的发射极电流，β的变化使输出集电极电流产生少量的变化。当β变化时，由偏置电路非零源阻抗及可变负载引起基极电压少量变化。
优化电路进行温度补偿及抑制Early效应
仿真软件：Multisim
