12N65高压MOS管RS12N65T TO-220F

RS12N65F 12A 650V LED驱动电源/适配器 產品規格：4A-45A; 500V-600V-650V-700V-800V-900V-1000V-1200V-1500V 產品應用：LED驅動，小家電，開關電源，工業控制等 ### 关于12N65高压MOS管RS12N65T TO-220F的关键知识点 #### 一、产品概述 12N65是一款高性能、高可靠性的N沟道增强型MOS场效应晶体管，主要用于开关电源、不间断电源系统(UPS)以及功率因数校正(PFC)等应用场合。该器件的最大特点在于其高压特性（最高可达650V），以及在较高工作频率下的低损耗表现。 #### 二、主要特性 1. **快速切换能力**：12N65具有较快的切换速度，能够有效减少开关损耗。 2. **100%雪崩测试**：确保了每个器件都能够在特定条件下承受雪崩事件而不会损坏。 3. **改进的dv/dt能力**：意味着该器件能够处理高速电压变化的情况，这对于高频开关应用非常重要。 #### 三、应用范围 1. **开关模式电源(SMPS)**：适用于各种开关电源应用，如计算机电源、电视电源等。 2. **不间断电源系统(UPS)**：用于提供连续稳定的电力供应，特别是在电网不稳定或断电的情况下。 3. **功率因数校正(PFC)**：提高交流输入电源的功率因数，减少能源浪费。 4. **LED驱动电源/适配器**：用于各种LED照明设备，如LED灯条、LED灯泡等。 5. **小家电及工业控制领域**：如空调、洗衣机等家用电器以及工厂自动化控制系统。 #### 四、规格参数 - **封装类型**：TO-220F/TO-220。 - **最大工作温度范围**：-55°C至+150°C。 - **绝对最大额定值**： - **漏源电压** (VDSS)：650V。 - **连续漏极电流** (ID)：12A。 - **脉冲漏极电流** (IDM)：48A。 - **栅源电压** (VGSS)：±30V。 - **单脉冲雪崩能量** (EAS)：810mJ。 - **重复雪崩能量** (EAR)：228mJ。 - **耗散功率** (PD)：TO-220F为70W，TO-220为96W。 - **热阻** (RthJC/RthJA)：TO-220F的Junction-to-Case为1.92K/W，Junction-to-Ambient为62.5K/W；TO-220的Junction-to-Ambient为60K/W。 #### 五、静态参数 - **漏源击穿电压** (V(BR)DSS)：最小值650V。 - **零栅压漏极电流** (IDSS)：最大值1μA (VDS=650V, VGS=0V, TJ=25°C) 和100μA (VDS=520V, VGS=0V, TJ=25°C)。 - **栅源泄漏电流** (IGSS)：最大值±100nA (VGS=±30V)。 - **栅源阈值电压** (VGS(th))：3.0V至4.0V。 - **导通电阻** (RDS(on))：典型值0.45Ω (VGS=10V, ID=6.0A)，最大值0.68Ω。 #### 六、动态参数 - **输入电容** (Ciss)：最大值1641pF。 - **输出电容** (Coss)：最大值162pF。 - **反向传输电容** (Crss)：最大值20pF。 - **总栅极电荷** (Qg)：最大值51nC。 - **栅源电荷** (Qgs)：最大值7.1nC。 - **栅漏电荷** (Qgd)：最大值24.5nC。 - **开启延时时间** (td(on))：最大值47ns。 - **开启上升时间** (tr)：最大值32ns。 - **关闭延时时间** (td(off))：最大值219ns。 - **关闭下降时间** (tf)：最大值58ns。 #### 七、其他关键特性 - **体二极管特性**： - 连续体二极管电流 (IS)：最大值12A (TC=25°C)。 - 脉冲二极管正向电流 (IFM)：未给出具体数值，但与连续体二极管电流相似，适用于短时间大电流脉冲应用。 12N65 MOS管RS12N65T TO-220F是一款高性能的高压MOS管，适用于多种开关电源和控制应用，其出色的电气性能使其成为许多设计中的首选器件。