SH367108_13S_同口_V3.5.pdf

根据提供的文件内容，本文将详细介绍SH367108X芯片在13串保护板上的应用原理图、保护参数、器件参数以及Layout注意事项。 SH367108X是一款由中颖电子生产的电源管理芯片，广泛应用于电池保护板中，特别是在13串电池组中用于提供电池保护功能。该芯片具有过充、过放、过流、短路保护以及温度保护等多种功能，确保电池安全高效地运行。 芯片的应用原理图可以在文件的Page2找到参考。原理图详细展示了SH367108X与其他元器件之间的连接关系和电路布局。 接下来是关于保护参数的部分。SH367108-AAA型号的芯片具有如下保护参数： - 过充电保护电压：4.25V±25mV - 过充电保护延时：1S±0.5S - 充电过流阈值：20mV±10mV - 温度保护延时：3S±1.5S - 过充电恢复电压：4.15V±50mV - 过放电保护电压：2.7V±50mV - 放电过流1保护延时：1S±0.5S - 充电高温保护恢复：47℃±4℃ - 过放电恢复电压：3V±100mV - 放电过流2保护延时：100mS±50mS - 充电低温保护：0℃±4℃ - 放电过流1阈值：100mV±10mV - 短路保护延时：250uS±50uS - 充电低温保护恢复：5℃±4℃ - 放电过流2阈值：200mV±20mV - 放电过流恢复延时：125mS±62.5mS - 放电高温保护：70℃±4℃ - 放电短路阈值：400mV±50mV - 放电短路恢复延时：125mS±62.5mS - 放电高温保护恢复：55℃±4℃ - 欠压负载锁定 - 温度保护调节支持 - 短路保护延时调节支持 芯片参数列表还包含功能列表，描述了各个参数所对应的保护功能。例如，平衡开启电压/平衡开启延时/充电高温保护等，这些功能保证了电池在不同状态下能够得到相应的保护。 在Layout注意事项方面，文件中提出了针对SH367108X芯片的电路板布局的详细建议： 1. 芯片应采用单点接地方式，以防止B-端的抖动对芯片产生干扰。芯片的地线网络应尽可能大面积铺地。 2. 芯片的RS1、RS2到采样电阻端的走线应尽量采用差分走线，即等长等宽走线，以减少走线对电流采样的干扰。 3. 如果保护板具有均衡功能，则电压采集的走线需要足够粗，防止均衡启动时走线压降过大导致的电压采样误差。均衡回路的走线同样需要足够粗。 4. 芯片的最高节VDD和VC1连接线应直接从B+端子引出，不要从功率电流的地方引出，以避免大电流放电时功率走线的振荡影响芯片的采样准确性。 5. VCN端口每一路的采样端需要经过RC滤波后再连接到芯片端口。滤波电容应尽量靠近芯片管脚，并且每一路的滤波电容尽量单独连接至相应的地。 6. VDD处的RC滤波电路应尽量采用0805封装的电阻和电容，因为这些元件功率较大，能更好地抵抗尖峰电压，减少损坏的风险。 7. 大电流回路的线宽和散热需要有足够的余量，确保电路在高温环境下也能稳定运行。 8. 对于特定型号的芯片（如SH367108和SH367107），对于VC5A和VC10A走线需要特别注意，其走线应尽量粗且减少绕线，相关电容应尽量靠近相应管脚。 9. 当多个功率MOS并联使用时，建议在每个MOS的G端串联47欧姆电阻，以确保功率MOS在关闭时速度一致，避免损坏。 芯片的实物图如下，展示了其各个引脚功能，包括电源端（VDD、VC1至VC15）、信号输入/输出端（CHG、DSG、DSD、CDC、RS1、RS2、TS、SEL0至SEL3）、以及电源地（GND）等。 文件内容还包含了一张电路板的实物图，其上标记了诸如J21P+/C+、J41P-/C-、VC10A、VDD、R5、R19、R1、R10等组件和端口。这些元素与前面提及的芯片保护参数和布局注意事项紧密相关，为实际应用提供了直接的参考。 文件提到了芯片的一些其他功能，如短路保护延时调节和断线保护功能，指出了如果需要这些特殊功能，可联系技术支持人员获取更多信息。 需要注意的是，由于内容是通过OCR扫描识别得出，可能存在个别字识别错误或漏识别的情况，理解时需结合实际情况进行适当调整。