nand.rar_nand 测试

#include "include.h" /************************NandFlash初始化***********************/ void NandFlash_Init(void) { rNFCONF = (1<<12)|(4<<8)|(1<<4)|(0<<0); //BusWidth:8, TWRPH1:1, TWRPH0:4, TACLS:1 rNFCONT = (0<<13)|(0<<12)|(0<<10)|(0<<9)|(0<<8)|(1<<6)|(1<<5)|(1<<4)|(1<<1)|(1<<0); //允许控制，NF禁用，初始化ECC，关闭数据区ECC，关闭空闲区ECC，禁止中断， } /**********************NandFlash读操作状态*********************/ U16 ReadStatus(void) { U16 stat; WrNFCmd(RDSTATCMD); do { stat = RdNFDat(); }while(!(stat&0x40)); //判断I/O[6]=1?等待完成 WrNFCmd(READCMD0); //(K9F1G08U0A)datasheet 34页 return stat&1; //返回I/O[0]，若其为0则操作成功 } /**********************NandFlash读芯片ID***********************/ U32 ReadChipID(void) { static U32 id; NFChipEn(); //NF使能 WrNFCmd(RDIDCMD); //写读id命令 WrNFAddr(0); while(NFIsBusy()); //等待完成 id = RdNFDat()<<8; //MAKE CODE:0xec (samsung) id |= RdNFDat(); //DEVICE CODE:0xf1 (K9F1G08U0A) NFChipDs(); //NF禁用 return id; //id=0xecf1 } /**********************NandFlash读页数据************************/ void ReadPage(U32 addr, U8 *buf) { U16 i; NFChipEn(); WrNFCmd(READCMD0); //写入4个地址周期 WrNFAddr(0); //列地址A0~A7 WrNFAddr(0); //列地址A8~A11 WrNFAddr(addr); //行地址A12~A19 WrNFAddr(addr>>8); //行地址A20~A27 WrNFCmd(READCMD1); InitEcc(); ReadStatus(); for(i=0; i<2048; i++) //读一页2KB数据 buf[i] = RdNFDat(); NFChipDs(); } /**********************NandFlash写页数据************************/ U32 WritePage(U32 addr, U8 *buf) { U32 i, mecc; U8 stat, tmp[7]; NFChipEn(); WrNFCmd(PROGCMD0); //写入4个地址周期 WrNFAddr(0); WrNFAddr(0); WrNFAddr(addr); WrNFAddr(addr>>8); InitEcc(); //生成ECC MEccUnlock(); //解锁main区ECC for(i=0; i<2048; i++) //写一页2KB数据 WrNFDat(buf[i]); MEccLock(); //锁定main区ECC mecc = RdNFMEcc(); tmp[0] = mecc&0xff; tmp[1] = (mecc>>8)&0xff; tmp[2] = (mecc>>16)&0xff; tmp[3] = (mecc>>24)&0xff; tmp[5] = 0xff; //mark good block WrNFDat(0xff);//2048，坏块标志 SEccUnlock(); //解锁spare区ECC WrNFDat(tmp[0]); //ECC校验码 WrNFDat(tmp[1]); WrNFDat(tmp[2]); WrNFDat(tmp[3]); SEccLock(); //锁定spare区ECC WrNFCmd(PROGCMD1); stat = ReadStatus(); NFChipDs(); return ~stat; //返回1则表示页写成功 } /************************NandFlash块擦除***********************/ U32 EraseBlock(U32 addr) { U8 stat; addr &= ~0x3f; //得到块地址 NFChipEn(); WrNFCmd(ERASECMD0); WrNFAddr(addr); //地址输入（两个周期）见datasheet 27页 WrNFAddr(addr>>8); WrNFCmd(ERASECMD1); stat = ReadStatus(); NFChipDs(); return ~stat; //返回1则表示擦除成功 }