ds9607-02p 电源芯片

标题中的“ds9607-02p 电源芯片”指的是RT9607系列中的一款产品，它是一种双通道同步整流降压型MOSFET驱动器。这种驱动器设计用于驱动在异步整流型降压转换器拓扑中的四个功率级N-通道MOSFET。其用途在于为先进的微处理器提供完整的核电压调节解决方案，当与RichTek的多相降压PWM控制器系列结合使用时。 描述中提到的关键知识点包括： 1. 双通道同步整流降压MOSFET驱动器：这种驱动器利用同步整流技术，通过MOSFET高效转换电压，同步整流可以显著减少能量损失，提高电源转换效率。 2. 驱动四个N-通道MOSFET：每个通道控制两个MOSFET，一个用于高侧（高端），另一个用于低侧（低端），这种配置支持灵活的门驱动选择。 3. 高侧和低侧驱动灵活性：提供了对高侧和低侧驱动的灵活控制，这样可以更加灵活地选择适合特定应用需求的MOSFET。 4. 高性能和成本效益的N-通道MOSFET：通过仅使用单一外部电容的引导技术降低了实现的复杂性，允许使用高性能且成本效益更高的N-通道MOSFET。 5. 适应性穿通保护：这种集成保护措施可防止高侧和低侧MOSFET同时导电，降低了由于MOSFET同时导通导致损坏的风险。 6. 上电时高侧MOSFET漏-源短路检测：在电源开启时，RT9607能够检测到高侧MOSFET的漏-源短路，并通过低侧MOSFET拉低12V电源，将电源供应置于过流关断状态以防止CPU损坏。 标签中的“ds9607”是产品型号，表明了它属于RT9607系列的电源芯片之一。 内容部分中提到的RT9607的特性还包括： - 强制通过输出驱动器以3nF负载，在30/40纳秒上升/下降时间内驱动。 - 传播延迟低至40纳秒，意味着从输入转换到功率MOSFET门的延迟时间很短，从而可以支持高频开关。 - 支持高达5V至12V的门驱动电压，以实现最佳效率。 - 三态输入用于桥接关断，提供了额外的系统控制功能。 在芯片封装类型和操作温度范围上，RT9607提供了VQFN-16L3x3（仅限无铅）和SOP-14两种封装形式，并且具有商业标准和商业标准无铅两种操作温度范围选项。该产品符合IPC/JEDEC J-STD-020标准，适用于无铅和含铅的焊接工艺，并采用全锡（Sn）电镀。 此外，在文档的最后提到的“DS9607-02”可能是该芯片数据手册的版本或发布日期，表明它是在2005年12月发布的。