54HC123D是一种基于硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS单稳态多谐振荡器,也被称为重触发单稳态振荡器,属于54系列产品。这款集成电路可在宽电压范围内工作,适用于各种电源电压条件,尤其适合需要脉冲整形电路的应用。 单稳态多谐振荡器是一种输出状态稳定的电子电路,它只有一个稳定状态,通过外部触发信号可暂时切换到另一个状态,之后会自动返回到稳定状态。54HC123D提供两个触发输入,一个是A输入,由负边沿触发;另一个是B输入,由正边沿触发。这种设计使得该器件能够处理缓慢上升或下降信号(上升和下降时间为1秒)。 设备的主要特性如下: 1. 高速特性:在VCC=6V时,典型传播延迟时间为23纳秒(tPD=23ns Typ.)。 2. 低功耗:在环境温度为25°C时,待机状态下的电流消耗为4微安(ICC=4µA Max.),工作状态下的电流消耗为200微安(ICC=200µA Max.)。 3. 高噪声抑制能力:具有较高的噪声容限,高电平噪声容限和低电平噪声容限均至少为VCC的28%(VNIH=VNIL=28%VCC Min.)。 4. 对称的输出驱动能力:高低电平输出驱动电流均为4毫安(|IOH|=IOL=4mA Min.)。 5. 平衡的传播延迟:从输入到输出的高电平传播延迟和低电平传播延迟接近相同(tPLH≅tPHL)。 6. 宽工作电压范围:电源电压范围从2伏到6伏(VCC(OPR)=2V to 6V)。 7. 宽输出脉冲宽度范围:在VCC=4.5伏时,输出脉冲宽度从120纳秒到60秒不等(tWOUT=120ns~60s)。 54HC123D的操作与54系列123兼容,并且还特别为太空应用进行了资格认证(SPACE GRADE-1),能够承受高达50千拉德的辐射剂量,如果需要,100千拉德剂量的也可按请求提供。器件不受高线性能量传递(LET)重离子的影响,并且完全符合辐射损伤 SCC-9207-006 的要求。 器件通过两个外部组件来确定输出脉冲的宽度:一个外部电阻RX和一个外部电容CX。当CX大于10纳法拉和RX大于10千欧姆时,输出脉冲宽度可通过公式 tW(OUT)=K·Cx·Rx 计算得出,其中K约等于0.45。通过将CLR引脚置低电平,可以中断单稳态状态。如果在单稳态期间发生下一个触发脉冲,则脉冲宽度会延长。 为了保护器件免受静电放电和瞬态电压超限的影响,所有输入端都配备了保护电路。54HC123D采用DILC-16(双列直插式封装,16个引脚)和FPC-16(扁平封装,16个引脚)两种封装类型,并附有相关的封装代码以便选择。 54HC123D的逻辑符号和输入输出等效电路图以及管脚描述也被提供,用于指导设计者在电路板上正确安装和布线。设备的引脚配置明确,包含多个关键引脚,例如触发输入、直接复位以及外部电阻/电容连接点等。 在设计和应用54HC123D时,用户需要注意的是,在输出端需要通过外部电阻和电容来确定输出脉冲的宽度,并且这些组件的值会直接影响器件的工作性能和脉冲宽度的精确度。此外,该器件的额定功率和温度范围也会限制其在特定环境中的应用。在对器件进行布局和布线时,还应该考虑到静电放电(ESD)和电压浪涌的保护,避免损坏集成电路。
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