NTZD3152PT1G的技术参数

产品型号:NTZD3152PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):900最大漏极电流Id(on)(A):0.430通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOT-563/-55 ~150描述:-20 V, -430 mA 双功率MOSFET价格/1片(套):￥1.80